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高出力シングルモードレーザーダイオード405nm～505nm 物理学
407低出力レーザーダイオードから高出力シングルモードレーザーダイオードへの移行は、半導体物理学における最も複雑なスケーリングの課題の1つである。マルチモードダイオードの出力パワーを上げるには、単純に発光幅を広げるだけでよいのに対して、シングルモードレーザーダイオードの出力パワーを上げるには、発光幅を広げるだけでよい。.
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低出力レーザーダイオードから高出力シングルモードレーザーダイオードへの移行は、半導体物理学における最も複雑なスケーリングの課題の1つである。マルチモードダイオードの出力パワーを上げるには、単純に発光幅を広げるだけでよいのに対して、シングルモードレーザーダイオードの出力パワーを上げるには、発光幅を広げるだけでよい。.
詳細を見る半導体フォトニクスのヒエラルキーにおいて、高出力シングルモードレーザーダイオードは、リッジ導波路工学の頂点に位置する。マルチモードダイオードが単に発光開口部を広げるだけで数百ワットに達するのに対し、シングルモードレーザーダイオードは...
詳細を見る405nmレーザーダイオードの開発は、III-V半導体工学における最も重要な成果のひとつである。可視紫色と近紫外スペクトルの境界で動作するこのデバイスは、窒化ガリウム半導体レーザーを利用している。.
詳細を見る波長405nmは、可視光と紫外線の戦略的交差点に位置する。一般的な赤外ガリウムヒ素（GaAs）ベースのエミッターとは異なり、405nmのレーザーダイオードは、窒化ガリウム（GaN）半導体の...
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