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La transizione da un diodo laser a bassa potenza a un diodo laser monomodale ad alta potenza è una delle sfide più complesse della fisica dei semiconduttori. Mentre l'aumento della potenza di uscita di un diodo multimodale implica semplicemente l'allargamento della...
Visualizza dettagliNella gerarchia della fotonica dei semiconduttori, il diodo laser monomodale ad alta potenza rappresenta l'apice dell'ingegneria delle guide d'onda a cresta. Mentre i diodi multimodali possono raggiungere centinaia di watt semplicemente ampliando l'apertura di emissione, un diodo monomodale...
Visualizza dettagliLo sviluppo del diodo laser a 405 nm rappresenta uno dei risultati più significativi dell'ingegneria dei semiconduttori III-V. Operando al confine tra lo spettro del visibile violetto e quello del quasi-ultravioletto, questo dispositivo si basa sul nitruro di gallio (...
Visualizza dettagliLa lunghezza d'onda di 405 nm si trova all'intersezione strategica tra lo spettro visibile e quello ultravioletto. A differenza dei più comuni emettitori a infrarossi basati sull'arseniuro di gallio (GaAs), il diodo laser a 405 nm è un prodotto del semiconduttore nitruro di gallio (GaN) ...
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