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从 低功率激光二极管 至 高功率单模激光二极管 是半导体物理学中最复杂的扩展挑战之一。要提高多模二极管的输出功率,只需扩大发射孔径即可,而要保持单一横向模式($TEM_{00}$),则需要对波导的结构进行彻底改造。在 405nm 至 505nm 波段,光子能量高,材料应变大,光学模式的稳定性取决于指数导向和增益导向之间的微妙平衡。.
实现 高功率单模激光二极管, 因此,制造商必须采用具有光刻精度的脊波导 (RWG) 结构。必须计算出波脊与周围区域之间的 “有效指数阶跃”($\Delta n_{eff}$),以便只支持基本模式。如果脊过宽,高阶横向模式就会开始竞争增益;如果脊过窄,光场就会溢出到有损耗的包层中,从而增加阈值电流。此外,在高注入水平下,“线宽增强因子”($alpha$-factor)会导致折射率随载流子密度而波动,从而导致 “模式扭结”--光束的空间和光谱轮廓会突然发生非线性偏移,从而使光束的阈值电流增加。 505 纳米激光 或 二极管激光器 405 纳米 对精密光学毫无用处。.
该 二极管激光器 405 纳米 是蓝紫色光子学的基石,在氮化镓铟(InGaN)材料系统中运行。在 405nm 波长处,铟的含量相对较低,因此晶体生长质量高,位错少。这使得高 差别量子效率 ($\eta_d$).然而,当我们向 505 纳米激光, 因此,铟的摩尔分数必须提高到近 20%。这就与氮化镓衬底产生了明显的晶格失配,从而产生了内部压电场。这些场导致 “量子约束斯塔克效应”(QCSE),使量子阱中的电子和空穴在空间上分离,从而减慢了辐射重组的速度,使其更难达到 "量子约束斯塔克效应"。 100mw 绿色激光器 以单一模式输出。.
专业人士 中国激光二极管工厂, 因此,解决方案在于氮化铝铟镓包层中的 “带隙工程”。通过对层的成分进行分级,工程师可以创建一个 “电子阻挡层”(EBL),防止载流子在高温下溢出。这对于 505 纳米激光, 在这种情况下,波段偏移比 405nm 处更浅。如果没有有效的 EBL,注入的电子就会绕过量子阱,在 p 型区进行非辐射性重组,从而产生废热,破坏单模脊的稳定性。.
在制作 100mw 绿色激光器 单模器件的热透镜现象。当二极管在高功率下工作时,有源区的局部加热会在折射率上产生梯度。这种 “热透镜 ”起到了额外波导的作用,通常能将光线紧密聚焦,从而破坏基本模式的稳定性。.
为了解决这一问题,高端制造商采用了具有极高导热性能的组件,如氮化铝(AlN)或碳化硅(SiC)。这样做的目的是尽量减小半导体结和外部散热器之间的 “热阻抗”($R_{th}$)。对于 低功率激光二极管, 标准的铜铅框架可能就足够了,但对于一个 高功率单模激光二极管, 在医疗和工业领域,购买具有高扭结功率余量的二极管是确保长期系统可靠性的最有效方法。在医疗和工业领域,购买具有高扭结功率余量的二极管是确保长期系统可靠性的最有效方法,即使最初的二极管功率较低。 激光二极管价格 较高。.
在单模设备中,整个光输出集中在大约 1 $\mu m$ 乘 3 $\mu m$ 的区域内。对于 100mw 绿色激光器, 在这种情况下,输出面的功率密度是惊人的。这就造成了灾难性光损伤(COD)的高风险。COD阈值是指强光导致半导体面吸收足够的能量而熔化的点。.
领先的工厂通过 “真空裂解 ”和 “原位钝化 ”来解决这一问题。通过在超高真空中切割激光棒并立即涂上一层保护性电介质涂层,制造商可以防止形成 “悬空键 ”和表面氧化物,这些氧化物会成为发热吸收中心。要实现可靠的 二极管激光器 405 纳米 用于石版印刷或 505 纳米激光 用于眼科,因为手术过程中突然发生故障是不可接受的。.
下表提供了单模二极管在短波长光谱范围内关键参数的技术比较。这些数值反映了波长、功率和效率之间的工程权衡。.
| 参数 | 405nm 单模 | 488nm 单模 | 505nm 单模 | 单元 |
| 最大连续波功率 | 500 | 150 | 120 | 毫瓦 |
| 光束质量($M^2$) | < 1.1 | < 1.1 | < 1.2 | – |
| 阈值电流 ($I_{th}$) | 35 | 45 | 55 | 毫安 |
| 斜坡效率 ($\eta$) | 1.4 | 1.1 | 0.8 | W/A |
| 正向电压 ($V_f$) | 4.8 | 5.2 | 6.2 | V |
| 偏振比 | > 100:1 | > 100:1 | > 80:1 | TE/TM |
| 热转移 | 0.05 | 0.04 | 0.03 | nm/K |
客户背景:
荷兰的一家研究实验室专门研究 “无掩膜光刻技术”。他们的系统使用高速扫描镜将激光束照射到涂有光致抗蚀剂的晶片上,从而制作出亚微米电路图案。.
技术挑战:
客户使用的是标准低功率激光二极管(405 纳米,20 毫瓦)。然而,为了提高系统的吞吐量,他们需要改用高功率单模激光二极管(405 纳米,200 毫瓦)。面临的挑战是,在 200mW 时,由于热波动,光束的 “指向稳定性 ”和 “光谱线宽 ”变得不稳定。光束位置的任何微小偏移或跳模都会导致图案模糊,从而有效地破坏硅晶片。.
技术参数和设置
质量控制(QC)与解决方案:
解决方案包括两个阶段的稳定过程。首先,我们提供了一个 405 nm 的二极管激光器,采用 “硬焊接”(AuSn)方式将其与氮化铝(AlN)底座结合,以最大限度地散热。其次,我们在外部安装了一个 “体布拉格光栅”(VBG)来锁定波长。VBG 提供光反馈,迫使二极管保持单一纵向模式,即使在高驱动电流下也能消除跳模现象。.
为了进行质量控制,我们使用了 “光束轮廓仪 ”来测量 $M^2$ 从 0 到 200mW 的整个功率范围。我们确保 “扭结点 ”至少为 250mW,为客户的 200mW 工作点提供了 25% 的安全余量。.
结论
通过升级到稳定的高功率单模激光二极管,实验室在不牺牲分辨率的情况下将光刻速度提高了 800%。指向稳定性保持在亚微米公差范围内,长期可靠性意味着他们可以全天候运行机器。这个案例突出表明,对于高端原始设备制造商来说,“元件质量 ”是 “运营盈利能力 ”的主要驱动力。”
当采购经理寻找 二极管激光器 405 纳米 或 100mw 绿色激光器, 因此,他们往往会受到最低单价的诱惑。然而,在工业和医疗领域,二极管的价格往往不到系统总成本的 1%。“廉价 ”二极管” 低功率激光二极管 过早失效会导致
通过与 中国激光二极管工厂 通过采用以 “筛选和老化 ”为重点的 “二极管测试系统”,买家可以将注意力从 “初始购买价格 ”转移到 "总体拥有成本 "上。据统计,经过 168 小时高应力测试的二极管在运行第一年出现故障的可能性要低 10 倍。这种主动的质量控制是供应商与原始设备制造商之间信任的基础。.
问:“单一横向模式 ”和 “单一纵向模式 ”有什么区别?
答:单横模($TEM_{00}$)是指光束的空间形状,可实现紧密的圆形聚焦。单纵向模式指的是光谱纯度(单一频率)。大多数高功率单模激光二极管单元在空间上都是单模的,但除非通过 DFB 结构或外部 VBG 使其稳定,否则可能会有多个光谱模式。.
问:为什么 505nm 激光器的工作电压 ($V_f$) 要高于 505nm 激光器? 405nm 激光?
答:这是 “带隙 ”和 “串联电阻 ”造成的。虽然 505nm 波长的光子能量(带隙)比 405nm 波长低,但 505nm 波长激光中的铟含量较高,会增加载流子的散射,使 p 型掺杂更加困难,从而导致器件上的总体压降增大。.
问:能否使用高功率单模激光二极管进行 3D 打印?
答:是的。事实上,对于微结构的 SLA(立体光刻)或 SLS(选择性激光烧结),单模 405nm 或 450nm 二极管是首选光源,因为它能聚焦到 10 微米以下的光斑。.
问:如果我驾驶一辆 100mW 绿色激光器 没有 TEC?
答:如果没有 TEC(热电冷却器),结温将迅速上升。这将导致波长偏红(更长),阈值电流增加,最终,热膨胀将导致 “模式扭结”,即光束轮廓扭曲。刻面的永久退化可能会在几分钟内发生。.
405 nm 波长位于可见光谱和紫外光谱的战略交叉点。与更常见的基于砷化镓(GaAs)的红外发射器不同,405 纳米激光二极管是氮化镓(GaN)半导体的产物。.
查看详情在半导体光子学领域,高功率单模激光二极管代表了脊波导工程的顶峰。多模二极管只需拓宽发射孔径就能达到数百瓦的功率,而单模二极管则只需拓宽发射孔径就能达到数百瓦的功率。.
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