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高功率单模激光二极管：405 纳米至 505 纳米物理学
413从低功率激光二极管过渡到高功率单模激光二极管是半导体物理学中最复杂的扩展挑战之一。虽然提高多模二极管的输出功率只需拓宽其发射功率，但这并不意味着单模激光二极管的输出功率会降低。.
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从低功率激光二极管过渡到高功率单模激光二极管是半导体物理学中最复杂的扩展挑战之一。虽然提高多模二极管的输出功率只需拓宽其发射功率，但这并不意味着单模激光二极管的输出功率会降低。.
查看详情在半导体光子学领域，高功率单模激光二极管代表了脊波导工程的顶峰。多模二极管只需拓宽发射孔径就能达到数百瓦的功率，而单模二极管则只需拓宽发射孔径就能达到数百瓦的功率。.
查看详情405 nm 波长位于可见光谱和紫外光谱的战略交叉点。与更常见的基于砷化镓（GaAs）的红外发射器不同，405 纳米激光二极管是氮化镓（GaN）半导体的产物。.
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