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635 纳米附近的光谱区域是可见光光谱中的一个关键技术临界点。虽然 650 纳米和 660 纳米二极管在消费类电子产品中无处不在,但 635 纳米和 660 纳米二极管的技术门槛却很高。 635nm 激光二极管 更接近人眼的峰值灵敏度,每毫瓦输出可提供更高的感知亮度。然而,要实现向更短波长的转变,需要对 AlGaInP(磷化铝镓铟)材料系统进行复杂的操作。.
在原子层面上,发射波长取决于有源量子阱 (QW) 区域的带隙能。要达到 635nm 的波长,$(Al_x Ga_{1-x})_{0.5} 中的铝摩尔分数($x$}In_{0.5}P$ 合金中的铝($x$)必须精确增加。这种修改虽然能有效地实现光谱偏移,但却带来了一个严峻的工程挑战:减少导带偏移($\Delta E_c$)。随着带隙的增宽,阻止电子从量子阱泄漏到包层的能量势垒也随之降低。.
这种 “载波泄漏 ”是 635nm 激光二极管. .在较高的工作温度下,电子会获得足够的热能逃离有源区,导致阈值电流急剧上升,壁插效率降低。因此,635nm 发射器的性能对其内部结构--无论是采用简单的法布里-佩罗腔还是复杂的分布式反馈结构--比几乎任何其他可见光二极管都更为敏感。.
当工程师评估一个 激光出售, ,可以选择 FP 激光二极管 以及一个 DFB 激光二极管 归根结底,是要在宽光谱光源和精密频率工具之间做出选择。这种选择取决于半导体芯片所采用的光反馈方法。.
该 FP 激光二极管 是该行业的基础结构。它依靠半导体晶体的自然裂面作为反射镜。这就形成了一个同时支持多个纵向模式的谐振腔。由于 AlGaInP 材料的增益曲线相对较宽,因此其中多个模式可以同时达到激光阈值。.
其结果是,输出虽然在空间上是连贯的,但在光谱上却是 “杂乱无章 ”的。功率分布在几个离散的波长(模式)上,相距只有十分之几纳米。此外,这些模式还在不断竞争可用增益。温度或注入电流的微小波动都会导致功率从一种模式不可预测地转移到另一种模式,这种现象被称为模式分区噪声(MPN)。对于高速数据传输或精密计量而言,MPN 带来的抖动会使系统变得不可靠。.
该 DFB 激光二极管 通过将频率选择滤波器直接集成到激光波导中,消除了模式竞争。这种滤波器采用周期性布拉格光栅的形式,以纳米级精度蚀刻到半导体层中。与在腔体两端提供反馈的 FP 激光器不同,DFB 激光器沿其长度方向连续提供反馈。.
根据计算,光栅周期($/Lambda$)正好满足一个波长的布拉格条件。这就迫使设备以 单纵向模式激光器, 从而抑制所有竞争模式。DFB 激光器的光谱纯度通常比 FP 激光器高几个数量级,线宽可窄至 1 MHz 以下。在 635nm 激光二极管, 对于需要绝对波长精度的应用,如原子钟或气体光谱分析,DFB 结构提供了必要的稳定性。.
制作可靠的 单纵向模式激光器 635nm 波长的单模光栅需要的不仅仅是蚀刻光栅。它涉及到外延生长和脊波导工程的整体方法,以确保单模在数千小时的运行中保持稳定。.
DFB 激光器的一个常见问题是 “模式退化”,即布拉格光栅支持围绕布拉格波长对称放置的两个模式。为了解决这个问题,高质量的 DFB 激光二极管 这些设计在光栅中心加入了 $\lambda/4$ 相移。这种偏移打破了对称性,确保只有一种模式--精确的布拉格波长模式--会产生最大反馈。.
为了保持单一空间模式($TEM_{00}$),必须将脊波导蚀刻到精确的深度和宽度。在 635nm 激光二极管, 当光子能量较高时,脊的设计还必须尽量减少 p 包层的光吸收。任何被吸收的光都会转化为热量,从而导致折射率局部偏移,有可能将激光波长 “拉 ”离设计目标。.
由于 635nm 波长的光子具有高能量,二极管的刻面很容易发生灾难性光损伤 (COD)。刻面的氧化作用是一个非辐射重组中心,会吸收光并产生热量。这种热量会导致带隙缩小,从而在恶性循环中产生更多的吸收,最终导致刻面熔化。专业级 FP 激光二极管 和 DFB 单元利用专有的刻面钝化层--通常由高级氮化物或氧化物组成--将晶体表面与环境密封起来。.
当采购团队比较一个 FP 激光二极管 用 DFB 激光二极管, 因此,最初的价格差距可能会很大。DFB 激光器需要电子束光刻、二次外延生长和更严格的测试,所有这些都会推高单位成本。不过,从 “系统总成本 ”的角度来看,DFB 激光器往往是高精度原始设备制造商更经济的选择。.
在高精度传感器中,使用一个 FP 激光二极管 通常需要使用外部波长锁定器、高 Q 值滤光片或复杂的温度稳定外壳。这些组件都会增加最终产品的成本、重量和故障点。A 单纵向模式激光器 将这种波长稳定性集成到芯片本身,使原始设备制造商能够简化光学系统,减少设备的物理尺寸。.
精密激光系统现场故障的主要原因是 “光谱漂移”。随着 FP 激光器的老化,其跳模行为会发生变化,从而导致系统失准。A DFB 激光二极管, 由于被光栅物理锁定,DFB 光源的抗光谱老化能力要强得多。通过选择 DFB 光源,原始设备制造商可以延长机器的服务周期,降低与现场维修和保修索赔相关的高昂成本。.
下表提供了一个技术基准,供工程师在选择这两种红色光谱架构时使用。.
| 技术指标 | 标准 FP 635nm 二极管 | 精密 DFB 635nm 二极管 | 工程意义 |
| 光谱线宽 | 1.0 海里 - 2.5 海里 | < 0.0001 nm(亚兆赫) | 检测系统的分辨率。. |
| SMSR(侧模抑制) | < 3 分贝 | > 40 分贝 | 对模式分区噪声的免疫力。. |
| 波长公差 | ±5 纳米 | ±0.5 纳米 | 易于系统校准。. |
| 温度调谐系数 | 0.25 nm/°C | 0.06 nm/°C | 散热要求. |
| 模式跳转 | 频繁和随机 | 抑制/控制 | 信号连续性和信噪比. |
| 相干长度 | 1 毫米 - 10 毫米 | 10 米 - 100 多米 | 干涉测量传感的极限。. |
| 坡度效率 | 0.8 - 1.2 瓦/天 | 0.6 - 1.0 W/A | 耗电量和热负荷. |
为了全面了解 635nm 激光二极管 技术,工程师还必须整合另外三个技术概念:
一家激光多普勒测振仪(用于测量汽车发动机和微电子中的非接触振动)制造商正在为其 635nm 系统中的 “相位噪声 ”而苦恼。.
该系统使用了 635nm 激光二极管 探测振动表面反射光的微小频率变化(多普勒频移)。其现有的 FP 激光二极管 该系统显示出频繁的模式跳变和高相位噪声,系统的电子设备将其误解为物理振动。这导致了 “噪声底限”,无法测量亚微米级的位移。.
重新设计的系统采用了 单纵向模式激光器 (DFB 型),参数如下:
为确保激光器符合 LDV 的严格要求,我们使用延迟自外差干涉仪进行了 “频率噪声特性分析”。我们还进行了 “长期波长稳定性 ”测试,在全功率条件下对中心波长进行了 1,000 小时的监测;允许漂移的上限为 <0.02nm。.
通过改用 DFB 激光二极管, 该乐虎国际客户端下载将系统的本底噪声降低了 22 分贝。由于消除了跳模,因此可以连续、高速地采集数据。虽然 DFB 模块的成本较高,但客户能够去掉复杂的外部相位跟踪电路,从而使整个仪器更加坚固耐用,价格也略低。这一转变巩固了他们作为高频振动分析市场领导者的地位。.
在市场上寻找 激光出售, 供应商 “与 ”技术合作伙伴 “的区别在于原始数据的可用性。在采购 635nm 激光二极管, 因此,原始设备制造商应提出要求:
在 激光二极管-LD.com, 因此,重点在于基础物理学。通过掌握 AlGaInP 的外延生长和 DFB 光栅的纳米光刻技术,重点仍然是提供一种 单纵向模式激光器 能满足工业和医疗领域的严格要求。.
问 1: 为什么 635nm DFB 激光器的 SMSR 比 1550nm 激光器更难保持?
答:这主要是由于材料的增益特性造成的。与 1550nm 波长的 InGaAsP 系统相比,AlGaInP 系统的增益谱对温度和载流子密度变化更为敏感。这意味着 DFB 光栅必须提供更强的反馈,以防止激光跃迁到边模。.
问 2:可以高速调制单纵模激光器吗?
答:当然可以。DFB 激光器是高速调制的首选,因为它们在快速开/关切换时不会出现困扰 FP 激光器的 “模式分割噪声”。这使得通信系统中的眼图更加清晰。.
问题 3: FP 激光二极管与 DFB 相比有什么优势吗?
答:是的。对于光谱纯度要求不高的应用,如大功率泵浦、简单对准或激光治疗,FP 激光二极管的成本要低得多,而且由于不会因光栅反射而损失能量,因此总输出功率通常更高。.
问题 4:“单频 ”激光器与 “单模 ”激光器有何不同?
答:在技术领域,这两个术语经常互换使用。不过,“单模 ”通常指横向(空间)模式,而 “单频”(或单纵向模式)特指光谱输出。高质量的 DFB 二极管两者兼具。.
The 980nm single mode fiber coupled laser diode serves as the heartbeat of modern optical communication and precision medical instruments. While other wavelengths are chosen for their specific absorption in tissues or transparency in silica, 980...
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