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고출력 단일 모드 레이저 다이오드: 405nm ~ 505nm 물리학
405저전력 레이저 다이오드에서 고출력 단일 모드 레이저 다이오드로의 전환은 반도체 물리학에서 가장 복잡한 스케일링 과제 중 하나입니다. 멀티모드 다이오드의 출력 전력을 높이려면 단순히 방출 영역을 넓히는 것만으로는 부족합니다.
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저전력 레이저 다이오드에서 고출력 단일 모드 레이저 다이오드로의 전환은 반도체 물리학에서 가장 복잡한 스케일링 과제 중 하나입니다. 멀티모드 다이오드의 출력 전력을 높이려면 단순히 방출 영역을 넓히는 것만으로는 부족합니다.
상세 정보 보기반도체 포토닉스 계층 구조에서 고출력 단일 모드 레이저 다이오드는 릿지 도파관 엔지니어링의 정점을 나타냅니다. 멀티모드 다이오드는 단순히 방출 조리개를 넓히는 것만으로 수백 와트에 도달할 수 있지만, 단일 모드는 ...
상세 정보 보기405nm 레이저 다이오드의 개발은 III-V 반도체 공학에서 가장 중요한 업적 중 하나입니다. 가시광선 및 근자외선 스펙트럼의 경계에서 작동하는 이 장치는 질화 갈륨을 사용합니다....
상세 정보 보기405nm 파장은 가시광선과 자외선 스펙트럼의 전략적 교차점에 위치합니다. 일반적인 적외선 갈륨 비소(GaAs) 기반 이미터와 달리 405nm 레이저 다이오드는 질화 갈륨(GaN) 반도체 트랜지스터의 제품입니다.
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