Поиск продуктаПоиск сообщений
Переход от маломощного лазерного диода к мощному одномодовому лазерному диоду - одна из самых сложных задач масштабирования в физике полупроводников. В то время как увеличение выходной мощности многомодового диода сводится к расширению эмит...
Посмотреть подробностиВ иерархии полупроводниковой фотоники мощный одномодовый лазерный диод представляет собой вершину разработки гребневых волноводов. В то время как мощность многомодовых диодов может достигать сотен ватт за счет простого расширения излучающей апертуры, одномо...
Посмотреть подробностиРазработка 405-нм лазерного диода представляет собой одно из самых значительных достижений в области полупроводниковой техники III-V. Работающее на границе видимого фиолетового и ближнего ультрафиолетового спектра, это устройство основано на нитриде галлия ...
Посмотреть подробностиДлина волны 405 нм находится на стратегическом пересечении видимого и ультрафиолетового спектров. В отличие от более распространенных инфракрасных излучателей на основе арсенида галлия (GaAs), 405-нм лазерный диод является продуктом полупроводникового нитрида галлия (GaN)...
Посмотреть подробности
Производитель лазерных диодов
