Поиск продуктаПоиск сообщений
Переход от маломощного лазерного диода к мощному одномодовому лазерному диоду - одна из самых сложных задач масштабирования в физике полупроводников. В то время как увеличение выходной мощности многомодового диода сводится к расширению излучающей...
Посмотреть подробностиВ иерархии полупроводниковой фотоники мощный одномодовый лазерный диод представляет собой вершину разработки гребневых волноводов. В то время как многомодовые диоды могут достигать мощности в сотни ватт за счет простого расширения излучающей апертуры, одномодовые...
Посмотреть подробностиСоздание 405-нм лазерного диода - одно из самых значительных достижений в области полупроводниковой техники III-V. Работающее на границе видимого фиолетового и ближнего ультрафиолетового спектра, это устройство основано на нитриде галлия (...
Посмотреть подробностиДлина волны 405 нм находится на стратегическом пересечении видимого и ультрафиолетового спектров. В отличие от более распространенных инфракрасных излучателей на основе арсенида галлия (GaAs), 405-нм лазерный диод является продуктом полупроводниковой технологии нитрида галлия (GaN)...
Посмотреть подробности
Производитель лазерных диодов
