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405nmレーザーダイオードの量子アーキテクチャー
488405nmレーザーダイオードの開発は、III-V半導体工学における最も重要な成果のひとつである。可視紫色と近紫外スペクトルの境界で動作するこのデバイスは、窒化ガリウム半導体レーザーを利用している。.
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405nmレーザーダイオードの開発は、III-V半導体工学における最も重要な成果のひとつである。可視紫色と近紫外スペクトルの境界で動作するこのデバイスは、窒化ガリウム半導体レーザーを利用している。.
詳細を見る波長405nmは、可視光と紫外線の戦略的交差点に位置する。一般的な赤外ガリウムヒ素（GaAs）ベースのエミッターとは異なり、405nmのレーザーダイオードは、窒化ガリウム（GaN）半導体の...
詳細を見る序論：医療用レーザーシステムの構造において、最も負荷がかかる部品は電源装置でも冷却ファンでもない。光子がガラスと接するインターフェースである。ファイバー結合レーザーは驚異的な...
詳細を見る序論：見えないものを見る腫瘍学と歯科において、早期発見こそが唯一の重要な指標である。従来の白色光検査は、しこり、変色、あるいは...といった形態学的変化を人間の目で識別する能力に依存している。.
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