405 纳米激光二极管的量子结构 1 月 18, 2026 478 405nm 激光二极管的开发是 III-V 半导体工程领域最重要的成就之一。该器件工作在可见紫光和近紫外光谱的交界处，依靠氮化镓... 查看详情
紫色前沿：405 纳米激光二极管的带隙工程 1 月 17, 2026 483 405 nm 波长位于可见光谱和紫外光谱的战略交叉点。与更常见的基于砷化镓（GaAs）的红外发射器不同，405 纳米激光二极管是氮化镓（GaN）半导体的产物。. 查看详情
405纳米是否是非侵入性诊断的未来？ 2025年12月19日 711 引言：洞察无形在肿瘤学和牙科领域，早期发现是唯一至关重要的指标。传统白光检查依赖人眼识别形态变化的能力——肿块、色素沉着或... 查看详情
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