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现代光子学的发展离不开对 III-V 族半导体的掌握。当设计工程师希望集成一个 520nm 激光二极管 或 紫外激光二极管, 因此,他们不仅仅是在选择光源,而是在选择一种特定的晶格构造,这种构造决定了整个系统的热力学极限。光谱范围从紫外(UV)到青色(Cyan 488nm 激光 到深红色 650nm 激光 这是一次穿越不同材料体系的旅程,每种材料体系在外延生长和载流子约束方面都面临着独特的挑战。.
在可见光谱中,“绿色间隙 ”是所有制造商面临的主要挑战。虽然蓝色二极管(450 纳米)和红色二极管(450 纳米650nm 激光)实现了很高的插墙效率 (WPE),即 520 纳米 区域仍然是一个存在严重物理缺陷的区域。这是由于氮化镓(GaN)和氮化镓铟(InGaN)之间的晶格不匹配造成的。要达到氮化镓和氮化铟镓的绿色波长 520 纳米激光 器件,量子阱中的铟含量必须大幅增加。铟浓度的增加会引起晶格内的高应变,从而导致量子约束斯塔克效应(QCSE)。.
该 520nm 激光二极管 在这种受应变的 InGaN/GaN 状态下运行。QCSE 的特点是具有强大的内部压电场,可在空间上分离量子阱内的电子和空穴波函数。这种分离降低了辐射重组的概率,从而降低了内部量子效率(IQE)。对于最终用户来说,这意味着阈值电流增大,散热要求增加。.
在评估一个 520 纳米激光 从源头上看,技术上的区别在于如何对外延层进行 “分级”。先进的生长技术利用缓冲层来管理应变转换,从而有效地屏蔽了部分极化场。这种工程上的细微差别正是 激光二极管价格 与蓝色或红色二极管相比,高质量绿色二极管的价格仍然较高。这不是稀缺与否的问题,而是生长 “宽松 ”晶格以保持高光谱纯度和低噪声所需的精度问题。.
该 488nm 激光 在生物荧光和流式细胞仪领域占有重要地位。一直以来,笨重、低效的氩离子气体激光器占据着主导地位,随着向半导体激光器的过渡,氩离子气体激光器的应用范围也在不断扩大。 488nm 激光 二极管为便携式医疗诊断带来了革命性的变化。从物理学角度来看,488 纳米是 InGaN 系统的 “甜蜜点”。与 520nm 相比,它所需的铟更少,因此晶格应变更小,效率更高。.
然而 488nm 激光 二极管在 “光谱稳定性 ”方面面临着独特的挑战。由于许多荧光体的吸收带很窄,二极管必须在工作温度范围内保持稳定的中心波长。这就需要采用低热阻的封装设计($R_{th}$)。在高端仪器中,488nm 二极管通常与外部体布拉格光栅 (VBG) 搭配使用,以 “锁定 ”波长,从而将标准法布里-珀罗二极管转变为适合拉曼光谱的窄线宽光源。.
向更短的频谱末端移动 紫外激光二极管 (通常为 375nm 至 405nm)会带来一系列不同的故障模式。随着带隙的增加,光子能量接近半导体材料本身的键能。波长为 375nm 的紫外线光子具有约 3.3 eV 的能量。这种能量足以引发激光刻面的光化学反应,导致加速 “刻面氧化”。”
对制造商而言,生产 紫外激光二极管 刻面钝化需要超洁净的真空环境。如果在镀膜过程中存在哪怕是单层的有机污染物,紫外光就会使刻面 “碳化”,导致灾难性的光学损伤(COD)。此外,由于镁接受体的活化能较高,在高铝含量的 AlGaN(用于更深紫外线)中进行 p 型掺杂非常困难。这导致了高串联电阻和局部发热,是紫外系统过早失效的主要原因。.
与基于氮化物的绿光和紫外激光器不同的是 650nm 激光 通常基于 AlGaInP/GaAs 材料系统。这是一种成熟的技术,但它仍然对热敏感。异质势垒上的 “电子泄漏 ”是红色二极管的主要损耗机制。随着温度的升高,电子获得足够的热能,“逃逸 ”出量子阱,进入 p 包层,并在那里发生非辐射性重组。.
对于 OEM 买家来说,这意味着 650nm 激光 需要复杂的电流转向逻辑。紫外二极管或绿色二极管对电流尖峰的抵御能力较强,而红色 AlGaInP 晶格则不同,如果不严格控制结温 ($T_j$),红色 AlGaInP 晶格很容易快速降解。这凸显了次级安装材料--通常是碳化硅(SiC)或氮化铝(AlN)--在模块结构中的重要性。.
下表比较了各种二极管的基本物理和工作参数。这些数值对于确定二极管的冷却和电源要求至关重要。 激光模块.
| 波长 | 材料系统 | 带隙(eV) | 典型 WPE(%) | 主要故障模式 | 热偏移(纳米/°C) |
| 375 纳米(紫外线) | 氮化铝/氮化镓 | 3.31 | 15% – 25% | 刻面氧化/碳化 | 0.05 |
| 488 纳米(青色) | 氮化镓/氮化镓 | 2.54 | 25% – 35% | 位错传播 | 0.04 |
| 520 纳米(绿色) | 氮化镓/氮化镓 | 2.38 | 10% – 20% | QCSE / 铟隔离 | 0.03 |
| 650 纳米(红) | AlGaInP / GaAs | 1.91 | 35% – 45% | 载体泄漏/异性屏障 | 0.25 |
在采购二极管时,“单位成本 ”往往是一个具有欺骗性的指标。价格较低的 520nm 激光二极管 可能会使用 “位错密度 ”较高的芯片。位错本质上是原子晶格中的 “裂缝”。在大电流注入的应力作用下,这些位错会移动和增殖,形成暗线缺陷(DLD)。.
在医疗设备(如用于 DNA 测序的激光器)中,由于 DLD 生长而导致的 5% 功率骤降可能会毁掉 24 小时的诊断运行。二极管的 “实际成本 ”包括浪费的试剂成本和技术人员的时间成本。因此,专业 紫外激光二极管 和可见光二极管的采购必须优先考虑制造商提供的 “LIV”(光-电流-电压)稳定性和 “老化 ”历史记录。.
客户背景:
德国一家临床诊断公司正在开发一种高通量流式细胞仪。该系统需要三个同时激发光源:488 纳米激光、520 纳米激光和 650 纳米激光。主要的限制因素是 “光学噪声”(RMS < 0.5%),以及需要一个共用的散热器,以尽量减少设备的占地面积。.
技术挑战:
随着环境温度的波动,520nm 二极管表现出明显的 “跳模 ”现象,干扰了绿色荧光通道的信噪比。此外,由于共享歧管上的热串扰,紫外/荧光二极管的高热负荷影响了红色二极管的阈值电流。.
技术参数和设置
质量控制 (QC) 和工程解决方案:
解决方案包括两个层面。首先,从铟波动最小的 “Center-Bin ”晶片中选择 520nm 激光二极管,以确保稳定的纵模结构。其次,我们实施了 “热电去耦 ”策略。虽然二极管共用一个物理支架,但我们利用 “隔离陶瓷垫片 ”在 650nm 通道和 520nm 通道之间建立了一条高热阻路径。.
对于 488nm 激光, 因此,我们通过内部光电二极管采用了 “恒定光功率 ”反馈回路。这可以补偿 “热下降”,而无需大幅改变驱动电流,从而有助于保持光谱稳定性。.
结论
集成模块通过了所有临床验证测试。客户报告说,通过使用 “Matched-Bin ”二极管和先进的热解耦技术,他们实现了比以前的原型高 15% 的信噪比。此外,10,000 小时加速老化测试表明,50 个单元的故障率为零,这证实了青色和绿色通道面钝化的完整性。.
问:为什么 650nm 激光器的热偏移(nm/°C)比 520nm 激光器大得多?
答:这是由于材料的折射率和带隙的温度依赖性不同。与氮化镓基(绿色/紫外)材料相比,AlGaInP(红色)的带隙对温度系数更为敏感。这使得红色二极管在非稳定环境中更容易出现波长 “漂移”。.
问:紫外激光二极管能否交替用于固化和医疗传感?
答:从技术上讲,是的,但要求不同。固化通常需要高原始功率(多模),光谱宽度不太重要。医疗传感通常需要低噪声、高光束质量($M^2 < 1.2$)的单模紫外激光二极管。使用固化级二极管进行传感会导致背景噪声大、聚焦性差。.
问:什么是 520 纳米激光中的 “铟偏析”?
答:在 InGaN 有源区,铟原子倾向于 “聚集 ”而不是均匀分布。这些原子团形成的 “量子点 ”的能态低于周围的材料。虽然这有时有助于载流子定位,但过度偏析会导致发射光谱变宽和效率降低。.
问:为什么 520 纳米激光的阈值电流比 450 纳米蓝色激光的阈值电流高得多?
答:这主要是由于 QCSE(量子约束斯塔克效应)和与高铟含量相关的较高位错密度。在应变绿晶格中,要实现激光所需的种群反转,就必须有更高的阈值电流。.
高性能可见光谱激光二极管的开发是固体物理学领域最重要的成就之一。对于 OEM 集成商来说,在 520nm 激光二极管、488nm 激光二极管或紫外激光二极管之间进行选择并非易事。.
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