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Alta qualidade, alto desempenho, excelente serviço
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Alta qualidade, alto desempenho, excelente serviço
No panorama contemporâneo da fotónica, a transição dos lasers tradicionais de gás e de estado sólido para sistemas de díodo direto não é apenas uma tendência - é uma mudança fundamental na eficiência energética e na modularidade do sistema. No centro desta evolução está a chip laser semicondutor, O chip de emissor único é uma maravilha microscópica que serve de motor principal para a geração de fotões. No entanto, o caminho de um chip de emissor único para uma ferramenta industrial de alta potência envolve uma engenharia termodinâmica e ótica complexa. Compreender a interação entre a díodo laser multi-emissor configuração e a integridade estrutural de um pilha de díodos laser é essencial para os engenheiros que pretendem minimizar o custo total de propriedade (TCO) e maximizar o díodo laser de alta luminosidade desempenho.
O desempenho de qualquer sistema laser de alta potência é irrevogavelmente limitado pela qualidade do seu crescimento epitaxial. A chip laser semicondutor é normalmente uma estrutura multicamadas de semicondutores compostos III-V (como o GaAs ou o InP). A eficiência destes chips - frequentemente medida como Eficiência de Ligação à Parede (WPE) - é determinada pela precisão das camadas de poços quânticos (QW).
A física fundamental envolve a injeção de electrões e buracos numa região ativa estreita. Para obter um brilho elevado, o chip deve manter uma elevada densidade de portadores sem sucumbir à recombinação não radiativa. Os chips modernos de alta potência utilizam poços quânticos deformados para modificar a estrutura da banda, reduzindo a massa efectiva de buracos e diminuindo a densidade da corrente de transparência. Este pormenor de engenharia é o que separa um chip normal de uma variante de alto brilho; esta última pode sustentar densidades de corrente mais elevadas antes de atingir o ponto de viragem causado por fugas térmicas.
Um dos principais modos de falha dos díodos de alta potência é a CQO. Na faceta de saída do chip, o campo ótico intenso pode levar a um aquecimento localizado, que reduz o intervalo de banda, aumenta a absorção e conduz a uma falha térmica descontrolada. O fabrico avançado envolve a passivação da faceta e a criação de espelhos não absorventes (NAMs). Para um fabricante, investir no processo de passivação ao nível do chip é a forma mais eficaz de garantir a longevidade do eventual díodo laser pilha.
Um único emissor só pode produzir uma quantidade limitada de energia (normalmente 10W a 20W para chips industriais de alta fiabilidade) antes de a densidade de calor se tornar incontrolável. Para atingir níveis de quilowatts, os engenheiros empregam um díodo laser multi-emissor estratégia.
Numa barra multi-emissor, vários díodos laser são fabricados num único substrato, partilhando um dissipador de calor comum. O desafio aqui é a “interferência” - tanto térmica como eléctrica. Se os emissores estiverem demasiado próximos, o calor de um afecta o comprimento de onda e a eficiência do seu vizinho. Se estiverem demasiado afastados, o brilho (potência por unidade de área por unidade de ângulo sólido) diminui.
A luminosidade é definida como:
$B = \frac{P}{A \cdot \Omega}$
em que $P$ é a potência, $A$ é a área de emissão e $\Omega$ é o ângulo sólido de divergência. Numa configuração com vários emissores, o “espaço morto” entre emissores aumenta $A$ sem aumentar $P$, o que inerentemente diminui o brilho em comparação com um único emissor perfeitamente focado. Por conseguinte, o objetivo da engenharia na conceção de díodos laser de elevado brilho é minimizar o passo do emissor, utilizando simultaneamente micro-ópticas sofisticadas para reformatar o feixe.
Quando os requisitos de potência excedem o que uma única barra pode fornecer, as barras são empilhadas verticalmente ou horizontalmente para formar um pilha de díodos laser. É aqui que a transição da física dos semicondutores para a engenharia mecânica e térmica se torna crítica.
Uma pilha de laser típica de 1kW pode gerar simultaneamente 1kW de calor residual. A gestão deste fluxo de calor é o maior desafio na conceção de pilhas. Existem duas filosofias principais de arrefecimento:
A interface entre a barra de laser e o dissipador de calor é normalmente unida por solda.
Para transformar a saída de um pilha de díodos laser num feixe útil, acoplado a uma fibra ou focado, a ótica secundária é obrigatória. Uma vez que a divergência de um díodo é altamente assimétrica (eixo rápido vs. eixo lento), a precisão é fundamental.
O eixo rápido tem normalmente uma divergência de 30-40 graus. Uma microlente asférica deve ser alinhada com precisão submicrónica com a faceta do emissor. Mesmo um desalinhamento de 1 mícron numa díodo laser multi-emissor pode levar a uma perda significativa de brilho na focagem final.
Em aplicações industriais de topo de gama, os modeladores de feixes “Step-Mirror” ou “Internal Reflection” são utilizados para “cortar” o feixe largo e fino de uma barra e empilhar os segmentos verticalmente. Este processo equaliza o BPP em ambos os eixos, permitindo que a luz seja eficientemente acoplada a uma fibra ótica de pequeno diâmetro.
Uma armadilha comum para os integradores de sistemas é concentrarem-se no “dólar por watt” do pilha de díodos laser e não o “dólar por hora” do sistema operacional.
Se um chip laser semicondutor tem um WPE 1% mais elevado, a carga térmica no sistema de arrefecimento diminui significativamente. Este efeito cascata reduz o tamanho do chiller necessário, diminui o consumo de eletricidade e, mais importante ainda, prolonga o tempo médio entre falhas (MTBF). Ao escolher uma pilha com construção de solda dura (AuSn) e facetas passivadas, um fabricante pode enfrentar um custo inicial 15% mais elevado, mas obter uma redução de 50% nas intervenções de serviço no terreno ao longo de um ciclo de vida de cinco anos.
Um fabricante líder de sistemas de laser médico (especializado em depilação e lipólise não invasiva) estava a registar elevadas taxas de falhas nos seus aplicadores portáteis. As unidades eram frequentemente utilizadas em regiões com temperaturas ambiente elevadas (35°C+) e os sistemas de arrefecimento interno estavam a atingir o seu limite.
O atual 808nm pilha de díodos laser estava a falhar devido à fadiga térmica da solda de índio. O efeito de “sorriso” estava a fazer com que a luz do laser atingisse o compartimento interno da peça de mão, provocando o sobreaquecimento dos componentes de plástico e um fornecimento inconsistente de energia ao doente.
Redesenhámos a fonte utilizando um díodo laser multi-emissor com base na tecnologia de soldadura rígida AuSn.
| Parâmetro | Especificação anterior | Especificação optimizada (proposta) |
| Tecnologia de chips | GaAs padrão | Chip Passivado NAM de Alta Potência |
| Material de solda | Índio (macio) | AuSn (duro) |
| Método de arrefecimento | Dissipador de calor passivo | Arrefecimento por micro-canais (MCC) |
| Passo do emissor | 500 μm | 400 μm (alta densidade) |
| “Tolerância ao ”sorriso | < 2,0 μm | < 0,5 μm |
| WPE (Eficácia da tomada de parede) | 48% | 59% |
Ao mudar para uma pilha de alto brilho e solda dura, o cliente reduziu a taxa de falhas do dispositivo portátil de 4,2% para 0,3% anualmente. O aumento do WPE permitiu uma ventoinha interna mais pequena, reduzindo o peso da peça de mão em 150g, o que foi um ponto de venda significativo para os médicos.
A tabela seguinte apresenta os indicadores de desempenho de várias configurações com base no díodo laser de alta luminosidade normas.
| Série de modelos | Total de Emissores | Potência de pico (W) | Comprimento de onda (nm) | Corrente de funcionamento (A) | Largura espectral (FWHM) |
| LD-S-808-Padrão | 10 Barras / 19 Emissores | 1000 | 808 ± 3 | 100 | < 4 nm |
| LD-S-940-Industrial | 12 Barras / 24 Emissores | 1500 | 940 ± 5 | 140 | < 5 nm |
| LD-S-1064-Médico | 6 Barras / 19 Emissores | 600 | 1064 ± 3 | 80 | < 4 nm |
| LD-HB-Alto Brilho | Módulo Multi-Emissor | 200 (Fibra) | 976 ± 1 | 20 | < 1 nm (VBG) |
Nota: Todos os dados foram medidos à temperatura de 25°C da água de arrefecimento.
O desvio do comprimento de onda é causado principalmente por uma alteração na temperatura da junção do chip laser semicondutor. Para díodos baseados em GaAs, o desvio é tipicamente de 0,3 nm por grau Celsius. A gestão térmica efectiva através do pilha de díodos laser‘é a única forma de estabilizar o comprimento de onda de saída.
Numa barra padrão díodo laser multi-emissor, Se os emissores individuais não puderem ser reparados, uma vez que fazem parte de uma estrutura monolítica de semicondutores, os emissores individuais não podem ser reparados. No entanto, se a falha for na micro-ótica externa, esta pode por vezes ser realinhada. Para aplicações de elevada fiabilidade, é mais económico substituir a barra ou a pilha.
O brilho determina a quantidade de potência que pode ser comprimida numa fibra de um determinado diâmetro e abertura numérica (NA). Uma potência elevada com baixo brilho resulta num feixe grande que não consegue entrar na fibra, levando ao desperdício de energia e a potenciais danos no revestimento da fibra.
AuSn é uma solda dura que não se deforma com o tempo. Quando combinada com um dissipador de calor com CTE adequado, bloqueia a chip laser semicondutor numa orientação perfeitamente plana. Isto assegura que as lentes FAC podem focar todos os emissores num plano único e coeso.
Os principais indicadores são um aumento da corrente de limiar e uma diminuição da eficiência da inclinação (mW/mA). Se notar que o sistema necessita de mais corrente para obter a mesma saída ótica, é provável que os chips estejam a sofrer degradação térmica ou oxidação das facetas.
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