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Der Spektralbereich um 635 Nanometer stellt eine kritische technische Schwelle im Spektrum des sichtbaren Lichts dar. Während 650nm- und 660nm-Dioden in der Unterhaltungselektronik allgegenwärtig sind, ist der 635nm Laserdiode liegt näher an der Spitzenempfindlichkeit des menschlichen Auges und bietet eine deutlich höhere wahrgenommene Helligkeit pro Milliwatt Leistung. Um diese Verlagerung zu kürzeren Wellenlängen zu erreichen, ist jedoch eine ausgeklügelte Manipulation des AlGaInP-Materialsystems (Aluminium-Gallium-Indium-Phosphid) erforderlich.
Auf atomarer Ebene wird die Emissionswellenlänge durch die Bandlückenenergie des aktiven Quantentopfs (QW) bestimmt. Um 635 nm zu erreichen, muss der Aluminium-Molanteil ($x$) in der $(Al_x Ga_{1-x})_{0,5} In_{0.5} P$-Legierung muss präzise erhöht werden. Diese Änderung ist zwar für die Spektralverschiebung wirksam, bringt aber eine große technische Herausforderung mit sich: eine Verringerung des Leitungsband-Offsets ($\Delta E_c$). Wenn sich die Bandlücke vergrößert, wird die Energiebarriere, die verhindert, dass Elektronen aus dem Quantentopf in die Hüllschichten entweichen, geringer.
Dieses “Trägerleck” ist der Hauptfeind der 635nm Laserdiode. Bei höheren Betriebstemperaturen gewinnen die Elektronen genügend thermische Energie, um aus dem aktiven Bereich zu entkommen, was zu einem starken Anstieg des Schwellenstroms und einer Verringerung der Wall-Plug-Effizienz führt. Folglich hängt die Leistung eines 635-nm-Emitters stärker von seiner internen Architektur ab - ob er einen einfachen Fabry-Pérot-Resonator oder eine komplexe Struktur mit verteilter Rückkopplung verwendet - als bei fast allen anderen sichtbaren Dioden.
Wenn ein Ingenieur eine Laser zu verkaufen, die Wahl zwischen einer FP-Laserdiode und ein DFB-Laserdiode ist letztlich eine Entscheidung zwischen einer Breitband-Lichtquelle und einem Präzisions-Frequenzwerkzeug. Diese Wahl wird durch die Methode der optischen Rückkopplung innerhalb des Halbleiterchips diktiert.
Das FP Laserdiode ist die grundlegende Architektur der Industrie. Sie beruht auf den natürlich gespaltenen Facetten des Halbleiterkristalls, die als Spiegel dienen. Dadurch entsteht ein Resonanzraum, der mehrere longitudinale Moden gleichzeitig unterstützt. Da das Verstärkungsprofil des AlGaInP-Materials relativ breit ist, können mehrere dieser Moden gleichzeitig die Laserschwelle erreichen.
Das Ergebnis ist ein Ausgangssignal, das zwar räumlich kohärent, aber spektral “chaotisch” ist. Die Leistung verteilt sich auf mehrere diskrete Wellenlängen (Moden), die durch einige Zehntel Nanometer voneinander getrennt sind. Außerdem stehen diese Moden in ständigem Wettbewerb um die verfügbare Verstärkung. Kleine Schwankungen der Temperatur oder des Injektionsstroms führen dazu, dass sich die Leistung in unvorhersehbarer Weise von einer Mode zur anderen verschiebt - ein Phänomen, das als Mode Partition Noise (MPN) bekannt ist. Bei der Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung oder der Präzisionsmesstechnik führt MPN zu einem Jitter, der ein System unzuverlässig machen kann.
Das DFB-Laserdiode eliminiert die Modenkonkurrenz, indem ein frequenzselektiver Filter direkt in den Wellenleiter des Lasers integriert wird. Dieser Filter hat die Form eines periodischen Bragg-Gitters, das mit Nanometerpräzision in die Halbleiterschichten geätzt wird. Im Gegensatz zum FP-Laser, der eine Rückkopplung an den Enden des Resonators ermöglicht, bietet der DFB-Laser eine kontinuierliche Rückkopplung über seine gesamte Länge.
Die Gitterperiode ($\Lambda$) wird so berechnet, dass sie die Bragg-Bedingung für genau eine Wellenlänge erfüllt. Dies zwingt das Gerät zum Betrieb als Single Longitudinal Mode Laser, und unterdrückt alle konkurrierenden Moden. Die spektrale Reinheit eines DFB-Lasers ist oft um Größenordnungen höher als die eines FP-Lasers, mit einer Linienbreite, die schmaler als 1 MHz sein kann. Im Zusammenhang mit dem 635nm Laserdiode, Die DFB-Struktur bietet die notwendige Stabilität für Anwendungen, die eine absolute Wellenlängengenauigkeit erfordern, wie Atomuhren oder Gasspektroskopie.
Herstellung einer zuverlässigen Single Longitudinal Mode Laser bei 635nm erfordert mehr als nur das Ätzen eines Gitters. Es erfordert einen ganzheitlichen Ansatz für das Epitaxiewachstum und die Entwicklung von Stegwellenleitern, um sicherzustellen, dass die Einzelmode über Tausende von Betriebsstunden hinweg stabil bleibt.
Ein häufiges Problem bei DFB-Lasern ist die “Modenentartung”, bei der das Bragg-Gitter zwei Moden unterstützt, die symmetrisch um die Bragg-Wellenlänge angeordnet sind. Um dies zu lösen, müssen hochwertige DFB-Laserdiode Designs enthalten eine $\lambda/4$-Phasenverschiebung in der Mitte des Gitters. Diese Verschiebung bricht die Symmetrie und sorgt dafür, dass nur ein Modus - derjenige mit der genauen Bragg-Wellenlänge - die maximale Rückkopplung erfährt.
Um eine einzige räumliche Mode ($TEM_{00}$) beizubehalten, muss der Ridge-Waveguide auf eine präzise Tiefe und Breite geätzt werden. In der 635nm Laserdiode, Wenn die Photonenenergie hoch ist, muss der Steg auch so konstruiert sein, dass die optische Absorption in den p-Mantelschichten minimiert wird. Jegliches absorbierte Licht wird in Wärme umgewandelt, was zu einer lokalen Verschiebung des Brechungsindexes führen kann, wodurch die Laserwellenlänge möglicherweise von ihrem Ziel weggezogen wird.
Da 635nm-Photonen eine hohe Energie haben, sind die Facetten der Diode anfällig für katastrophale optische Schäden (COD). Die Oxidation an der Facette wirkt als nicht-strahlendes Rekombinationszentrum, das Licht absorbiert und Wärme erzeugt. Diese Wärme lässt die Bandlücke schrumpfen, was zu weiterer Absorption in einem Teufelskreis führt, der schließlich die Facette zum Schmelzen bringt. Professionelle Qualität FP-Laserdiode und DFB-Einheiten verwenden firmeneigene Facetten-Passivierungsschichten, die oft aus hochentwickelten Nitriden oder Oxiden bestehen, um die Kristalloberfläche hermetisch von der Umgebung abzuschotten.
Wenn Beschaffungsteams einen Vergleich FP-Laserdiode mit einer DFB-Laserdiode, kann der anfängliche Preisunterschied erheblich sein. Ein DFB-Laser erfordert E-Beam-Lithographie, sekundäres epitaktisches Aufwachsen und strengere Tests, die alle die Stückkosten in die Höhe treiben. Unter dem Gesichtspunkt der “Gesamtsystemkosten” ist der DFB-Laser jedoch oft die wirtschaftlichere Wahl für Hochpräzisions-OEMs.
Bei einem Hochpräzisionssensor ist die Verwendung eines FP-Laserdiode erfordert häufig die Verwendung externer Wellenlängen-Locker, optischer Filter mit hohem Gütegrad oder komplexer temperaturstabilisierter Gehäuse. Jede dieser Komponenten erhöht die Kosten, das Gewicht und die Fehleranfälligkeit des Endprodukts. A Single Longitudinal Mode Laser integriert diese Wellenlängenstabilität in den Chip selbst, so dass der OEM den optischen Zug vereinfachen und den physischen Platzbedarf seines Geräts reduzieren kann.
Die Hauptursache für Feldausfälle bei Präzisionslasersystemen ist die “Spektraldrift”. Wenn ein FP-Laser altert, kann sich sein Modensprungverhalten ändern, wodurch das System aus der Kalibrierung gerät. A DFB-Laserdiode, da sie physikalisch durch ein Gitter verriegelt ist, ist sie weitaus resistenter gegen spektrale Alterung. Durch die Wahl einer DFB-Quelle kann ein OEM das Wartungsintervall seiner Maschinen verlängern und die hohen Kosten für Reparaturen vor Ort und Garantieansprüche reduzieren.
Die folgende Tabelle bietet Ingenieuren eine technische Grundlage für die Auswahl zwischen diesen beiden Architekturen im roten Spektrum.
| Technische Metrik | Standard FP 635nm Diode | Präzisions-DFB-Diode 635nm | Technische Bedeutung |
| Spektrale Linienbreite | 1,0 nm - 2,5 nm | < 0,0001 nm (Sub-MHz) | Auflösung der Detektionssysteme. |
| SMSR (Side-Mode-Unterdrückung) | < 3 dB | > 40 dB | Unempfindlichkeit gegenüber Modus-Teilungsrauschen. |
| Wellenlängen-Toleranz | ±5 nm | ±0,5 nm | Einfache Kalibrierung des Systems. |
| Temp. Abstimmungskoeffizient | 0,25 nm/°C | 0,06 nm/°C | Anforderungen an die thermische Kühlung. |
| Modus-Hopping | Häufig & zufällig | Unterdrückt/kontrolliert | Signalkontinuität und SNR. |
| Kohärenz Länge | 1 mm - 10 mm | 10 Meter - 100+ Meter | Grenze der interferometrischen Erfassung. |
| Hangneffizienz | 0,8 - 1,2 W/A | 0,6 - 1,0 W/A | Stromverbrauch und Wärmebelastung. |
Um die Wettbewerbslandschaft von 635nm Laserdiode Technologie müssen die Ingenieure drei weitere technische Konzepte integrieren:
Ein Hersteller von Laser-Doppler-Vibrometern - Instrumente zur berührungslosen Messung von Schwingungen in Automotoren und in der Mikroelektronik - hatte mit Phasenrauschen“ in seinen 635-nm-Systemen zu kämpfen.
Das System verwendet ein 635nm Laserdiode um winzige Frequenzverschiebungen (Dopplerverschiebungen) in dem von einer vibrierenden Oberfläche reflektierten Licht zu erkennen. Ihre bestehende FP-Laserdiode wies häufige Modensprünge und starkes Phasenrauschen auf, was von der Elektronik des Systems fälschlicherweise als physikalische Schwingungen interpretiert wurde. Dies führte zu einem “Noise Floor”, der die Messung von Verschiebungen im Submikrometerbereich verhinderte.
Das System wurde unter Verwendung eines Single Longitudinal Mode Laser (Typ DFB) mit den folgenden Parametern:
Um sicherzustellen, dass der Laser die strengen Anforderungen des LDV erfüllt, haben wir eine “Frequenzrauschcharakterisierung” mit einem verzögerten Selbstüberlagerungsinterferometer durchgeführt. Außerdem führten wir einen Test zur “Langzeit-Wellenlängenstabilität” durch, bei dem die mittlere Wellenlänge 1.000 Stunden lang bei voller Leistung überwacht wurde; die zulässige Drift wurde auf <0,02 nm begrenzt.
Durch den Wechsel zu einem DFB-Laserdiode, reduzierte der Kunde das Grundrauschen des Systems um 22 dB. Die Eliminierung von Modensprüngen ermöglichte eine kontinuierliche Datenerfassung mit hoher Geschwindigkeit. Obwohl das DFB-Modul teurer war, konnte der Kunde auf eine komplexe externe Phasenverfolgungsschaltung verzichten, was zu einem robusteren und etwas günstigeren Gesamtgerät führte. Diese Umstellung festigte die Position des Unternehmens als Marktführer im Bereich der Hochfrequenz-Schwingungsanalyse.
Auf dem Markt für ein Laser zu verkaufen, Der Unterschied zwischen einem “Lieferanten” und einem “technischen Partner” besteht in der Verfügbarkeit von Rohdaten. Bei der Beschaffung eines 635nm Laserdiode, sollte ein OEM verlangen:
Unter Laserdiode-LD.com, liegt der Schwerpunkt auf der zugrunde liegenden Physik. Durch die Beherrschung des epitaktischen Wachstums von AlGaInP und der Nanolithografie von DFB-Gittern liegt der Schwerpunkt auf der Bereitstellung eines Single Longitudinal Mode Laser die den strengen Anforderungen des industriellen und medizinischen Sektors gerecht werden.
Q1: Warum ist die SMSR eines 635-nm-DFB-Lasers schwieriger zu halten als die eines 1550-nm-Lasers?
A: Dies ist in erster Linie auf die Verstärkungseigenschaften des Materials zurückzuführen. Das Verstärkungsspektrum des AlGaInP-Systems reagiert empfindlicher auf Temperatur- und Ladungsträgerdichteänderungen als das bei 1550 nm verwendete InGaAsP-System. Das bedeutet, dass das DFB-Gitter eine viel stärkere Rückkopplung bieten muss, um zu verhindern, dass der Laser in einen Nebenmodus springt.
F2: Kann ich einen Single Longitudinal Mode Laser bei hohen Geschwindigkeiten modulieren?
A: Auf jeden Fall. DFB-Laser werden für die Hochgeschwindigkeitsmodulation bevorzugt, weil sie nicht unter dem “Mode-Partition-Noise” leiden, das FP-Laser beim schnellen Ein- und Ausschalten plagt. Dies führt zu einem viel saubereren Augendiagramm in Kommunikationssystemen.
F3: Hat eine FP-Laserdiode irgendwelche Vorteile gegenüber einer DFB-Diode?
A: Ja. Für Anwendungen, bei denen keine spektrale Reinheit erforderlich ist - z. B. Hochleistungspumpen, einfaches Ausrichten oder Lasertherapie - ist eine FP-Laserdiode wesentlich billiger und kann oft eine höhere Gesamtausgangsleistung erzielen, da sie keine Energie durch Gitterreflexionen verliert.
F4: Wie unterscheidet sich ein “Single Frequency”-Laser von einem “Single Mode”-Laser?
A: In Fachkreisen werden diese Begriffe oft synonym verwendet. Allerdings bezieht sich “Single Mode” in der Regel auf den transversalen (räumlichen) Modus, während sich “Single Frequency” (oder Single Longitudinal Mode) speziell auf die spektrale Leistung bezieht. Eine hochwertige DFB-Diode ist beides.
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