{"id":4049,"date":"2026-01-12T11:15:48","date_gmt":"2026-01-12T03:15:48","guid":{"rendered":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/?p=4049"},"modified":"2026-01-14T17:39:11","modified_gmt":"2026-01-14T09:39:11","slug":"la-fisica-della-densita-fotonica-ingegneria-avanzata-nei-sistemi-laser-a-diodi-chirurgici","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/it\/la-fisica-della-densita-fotonica-ingegneria-avanzata-nei-sistemi-laser-a-diodi-chirurgici-html","title":{"rendered":"La fisica della densit\u00e0 dei fotoni: Ingegneria avanzata dei sistemi laser a diodi chirurgici"},"content":{"rendered":"

Nell'approvvigionamento e nella progettazione di un sistema laser a diodi per uso medico<\/strong>, Il settore spesso enfatizza eccessivamente il wattaggio grezzo. Tuttavia, dal punto di vista di un produttore di semiconduttori, la \u201cpotenza\u201d \u00e8 una metrica secondaria. Il fattore principale che determina l'efficacia chirurgica, in particolare la capacit\u00e0 di eseguire incisioni pulite e prive di carbonizzazione, \u00e8 la \u201cluminosit\u00e0 ottica\u201d.\u201d<\/p>\n\n\n\n

Per capire perch\u00e9 un apparecchio da 30W ad alta luminosit\u00e0 chirurgico laser a diodi<\/a><\/strong> pu\u00f2 superare un sistema a bassa luminosit\u00e0 da 60W, dobbiamo analizzare la catena di progettazione dal livello del wafer epitassiale all'uscita finale accoppiata alla fibra. Questa analisi segue un approccio rigoroso di \u201cprincipi primi\u201d: prima definiamo i vincoli fisici del semiconduttore, poi esaminiamo perch\u00e9 le scelte ingegneristiche specifiche portano all'affidabilit\u00e0 del sistema.<\/p>\n\n\n\n

La giunzione del semiconduttore: Confinamento dei portatori e impedenza termica<\/h2>\n\n\n\n

Al livello pi\u00f9 granulare, un laser a diodi per uso medico<\/strong> \u00e8 una struttura a pozzo quantico. La regione attiva, dove elettroni e buchi si ricombinano per emettere fotoni, \u00e8 tipicamente spessa solo pochi nanometri. La sfida nella produzione di diodi ad alta potenza per la chirurgia non \u00e8 solo la generazione di luce, ma anche la gestione dell'energia \u201cdi scarto\u201d.<\/p>\n\n\n\n

Perdita di portatori e ricombinazione Auger<\/h3>\n\n\n\n

Quando la corrente di iniezione aumenta, non tutti gli elettroni rimangono all'interno della regione attiva. La \u201cperdita di portatori\u201d si verifica quando gli elettroni fuoriescono negli strati di rivestimento, generando calore anzich\u00e9 luce. Nei diodi 1470nm InGaAsP\/InP ad alta potenza, la \u201cricombinazione Auger\u201d diventa un fattore significativo. Questo processo non radiativo aumenta esponenzialmente con la temperatura. Pertanto, il \u201cperch\u00e9\u201d del guasto del sistema spesso non \u00e8 il diodo stesso, ma l'impedenza termica ($R_{th}$) del sottomontante.<\/p>\n\n\n

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#immagine_titolo<\/figcaption><\/figure>\n<\/div>\n\n\n

Materiali di imballaggio: AlN vs CuW<\/h3>\n\n\n\n

Un sistema ad alte prestazioni sistema laser a diodi per uso medico<\/a><\/strong> richiede che il chip laser sia montato su un sottopensile con un coefficiente di espansione termica (CTE) adatto al semiconduttore.<\/p>\n\n\n\n