{"id":4172,"date":"2026-01-27T14:36:08","date_gmt":"2026-01-27T06:36:08","guid":{"rendered":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/?p=4172"},"modified":"2026-01-15T14:37:15","modified_gmt":"2026-01-15T06:37:15","slug":"guide-de-conception-technique-des-piles-de-diodes-laser-a-haute-luminosite","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/guide-de-conception-technique-des-piles-de-diodes-laser-a-haute-luminosite-html","title":{"rendered":"Empilement de diodes laser \u00e0 haute luminosit\u00e9 : Guide de conception technique"},"content":{"rendered":"

Dans le paysage actuel de la photonique, la transition des lasers traditionnels \u00e0 gaz et \u00e0 semi-conducteurs vers les syst\u00e8mes \u00e0 diodes directes n'est pas simplement une tendance, c'est un changement fondamental dans l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la modularit\u00e9 des syst\u00e8mes. Au c\u0153ur de cette \u00e9volution se trouve la puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/strong>, La puce \u00e0 \u00e9metteur unique est une merveille microscopique qui sert de moteur principal pour la production de photons. Cependant, le passage d'une puce \u00e0 \u00e9metteur unique \u00e0 un outil industriel de grande puissance implique une ing\u00e9nierie thermodynamique et optique complexe. Comprendre l'interaction entre les diode laser \u00e0 \u00e9metteur multiple<\/strong> la configuration et l'int\u00e9grit\u00e9 structurelle d'un pile de diodes laser<\/strong> est essentiel pour les ing\u00e9nieurs qui cherchent \u00e0 minimiser le co\u00fbt total de possession (TCO) tout en maximisant la rentabilit\u00e9 de l'entreprise. diode laser \u00e0 haute luminosit\u00e9<\/a><\/strong> performance.<\/p>\n\n\n\n

La fondation microscopique : La puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/h2>\n\n\n\n

La performance de tout syst\u00e8me laser de haute puissance est irr\u00e9vocablement plafonn\u00e9e par la qualit\u00e9 de sa croissance \u00e9pitaxiale. A puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/a><\/strong> est g\u00e9n\u00e9ralement une structure multicouche de semi-conducteurs compos\u00e9s III-V (tels que GaAs ou InP). L'efficacit\u00e9 de ces puces - souvent mesur\u00e9e en tant que Wall-Plug Efficiency (WPE) - est d\u00e9termin\u00e9e par la pr\u00e9cision des couches du puits quantique (QW).<\/p>\n\n\n\n

Ing\u00e9nierie des puits quantiques et confinement des porteurs<\/h3>\n\n\n\n

La physique fondamentale implique l'injection d'\u00e9lectrons et de trous dans une r\u00e9gion active \u00e9troite. Pour obtenir une luminosit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e, la puce doit maintenir une densit\u00e9 de porteurs \u00e9lev\u00e9e sans succomber \u00e0 la recombinaison non radiative. Les puces modernes \u00e0 haute puissance utilisent des puits quantiques d\u00e9form\u00e9s pour modifier la structure de la bande, r\u00e9duire la masse effective des trous et diminuer la densit\u00e9 du courant de transparence. Ce d\u00e9tail technique est ce qui s\u00e9pare une puce standard d'une variante \u00e0 haute luminosit\u00e9 ; cette derni\u00e8re peut supporter des densit\u00e9s de courant plus \u00e9lev\u00e9es avant d'atteindre le point de basculement caus\u00e9 par les fuites thermiques.<\/p>\n\n\n\n

Att\u00e9nuation des dommages optiques catastrophiques (COD)<\/h3>\n\n\n\n

L'un des principaux modes de d\u00e9faillance des diodes de haute puissance est la DCO. Sur la facette de sortie de la puce, le champ optique intense peut conduire \u00e0 un \u00e9chauffement localis\u00e9, qui r\u00e9tr\u00e9cit la bande interdite, augmente l'absorption et conduit \u00e0 un emballement de la d\u00e9faillance thermique. La fabrication avanc\u00e9e implique la passivation de la facette et la cr\u00e9ation de miroirs non absorbants (NAM). Pour un fabricant, investir dans le processus de passivation au niveau de la puce est le moyen le plus efficace de garantir la long\u00e9vit\u00e9 du produit final. diode laser<\/a> pile<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n

Augmentation de la puissance : l'architecture de la diode laser \u00e0 \u00e9metteurs multiples<\/h2>\n\n\n\n

Un \u00e9metteur unique ne peut produire qu'une puissance limit\u00e9e (g\u00e9n\u00e9ralement de 10 \u00e0 20 W pour les puces industrielles \u00e0 haute fiabilit\u00e9) avant que la densit\u00e9 de chaleur ne devienne ing\u00e9rable. Pour atteindre des niveaux de kilowatts, les ing\u00e9nieurs emploient un syst\u00e8me d'alimentation en \u00e9nergie. diode laser \u00e0 \u00e9metteur multiple<\/strong> strat\u00e9gie.<\/p>\n\n\n\n

Combinaison spatiale de puissance<\/h3>\n\n\n\n

Dans une barre multi-\u00e9metteur, plusieurs diodes laser sont fabriqu\u00e9es sur un seul substrat, partageant un dissipateur thermique commun. La difficult\u00e9 r\u00e9side dans la \u201cdiaphonie\u201d, \u00e0 la fois thermique et \u00e9lectrique. Si les \u00e9metteurs sont trop proches, la chaleur de l'un d'entre eux affecte la longueur d'onde et l'efficacit\u00e9 de son voisin. S'ils sont trop \u00e9loign\u00e9s, la luminosit\u00e9 (puissance par unit\u00e9 de surface et par unit\u00e9 d'angle solide) diminue.<\/p>\n\n\n\n

Param\u00e8tre de faisceau produit (BPP) et luminosit\u00e9<\/h3>\n\n\n\n

La luminosit\u00e9 est d\u00e9finie comme suit :<\/p>\n\n\n\n

$B = \\frac{P}{A \\cdot \\Omega}$<\/p>\n\n\n\n

o\u00f9 $P$ est la puissance, $A$ est la surface d'\u00e9mission et $\\Omega$ est l'angle de divergence solide. Dans une configuration \u00e0 \u00e9metteurs multiples, l\u201c\u201despace mort\" entre les \u00e9metteurs augmente $A$ sans augmenter $P$, ce qui r\u00e9duit intrins\u00e8quement la luminosit\u00e9 par rapport \u00e0 un \u00e9metteur unique parfaitement focalis\u00e9. Par cons\u00e9quent, l'objectif technique de la conception de diodes laser \u00e0 haute luminosit\u00e9 est de minimiser le pas de l'\u00e9metteur tout en utilisant des micro-optiques sophistiqu\u00e9es pour reformater le faisceau.<\/p>\n\n\n\n

Int\u00e9gration structurelle : La pile de diodes laser<\/h2>\n\n\n\n

Lorsque les besoins en \u00e9nergie d\u00e9passent ce qu'une seule barre peut fournir, les barres sont empil\u00e9es verticalement ou horizontalement pour former un pile de diodes laser<\/strong>. C'est l\u00e0 que le passage de la physique des semi-conducteurs \u00e0 l'ing\u00e9nierie m\u00e9canique et thermique devient critique.<\/p>\n\n\n\n

Gestion thermique : L'\u00e9l\u00e9ment vital de la pile<\/h3>\n\n\n\n

Une pile laser typique de 1 kW peut g\u00e9n\u00e9rer simultan\u00e9ment 1 kW de chaleur r\u00e9siduelle. La gestion de ce flux de chaleur est le plus grand d\u00e9fi de la conception d'une pile. Il existe deux philosophies principales en mati\u00e8re de refroidissement :<\/p>\n\n\n\n

    \n
  1. Refroidisseurs \u00e0 microcanaux (MCC) :<\/strong> L'eau circule dans des canaux microscopiques directement sous la barre laser. Cette m\u00e9thode offre la r\u00e9sistance thermique la plus faible, mais n\u00e9cessite de l'eau d\u00e9ionis\u00e9e de grande puret\u00e9 pour \u00e9viter l'\u00e9rosion et le colmatage.<\/li>\n\n\n\n
  2. Refroidisseurs \u00e0 macro-canaux :<\/strong> Les canaux plus grands sont plus robustes et peuvent utiliser de l'eau de refroidissement standard, bien qu'ils aient une r\u00e9sistance thermique plus \u00e9lev\u00e9e, ce qui n\u00e9cessite des syst\u00e8mes de refroidissement plus efficaces. laser \u00e0 semi-conducteur<\/a> puce<\/strong> pour compenser.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

    Technologie de brasage : brasage dur et brasage tendre<\/h3>\n\n\n\n

    L'interface entre la barre laser et le dissipateur thermique est g\u00e9n\u00e9ralement soud\u00e9e.<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Indium (soudure tendre) :<\/strong> Il offre un excellent soulagement des contraintes mais est sujet \u00e0 la \u201cmigration de l'indium\u201d et \u00e0 la fatigue thermique dans des conditions puls\u00e9es.<\/li>\n\n\n\n
    • AuSn (soudure dure) :<\/strong> Il offre une stabilit\u00e9 sup\u00e9rieure et \u00e9vite l'effet \u201csmile\u201d (une l\u00e9g\u00e8re courbure de la barre qui nuit \u00e0 la qualit\u00e9 du faisceau), mais n\u00e9cessite un sous-montage \u00e0 coefficient de dilatation thermique (CTE) adapt\u00e9, tel que le tungst\u00e8ne-cuivre (WCu).<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Reformatage optique pour une luminosit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e<\/h2>\n\n\n\n

      Pour transformer la sortie d'un pile de diodes laser<\/strong> Pour transformer une diode en un faisceau utile, coupl\u00e9 \u00e0 une fibre ou focalis\u00e9, l'utilisation d'optiques secondaires est obligatoire. La divergence d'une diode \u00e9tant fortement asym\u00e9trique (axe rapide vs axe lent), la pr\u00e9cision est primordiale.<\/p>\n\n\n\n

      Collimation \u00e0 axe rapide (FAC)<\/h3>\n\n\n\n

      L'axe rapide a g\u00e9n\u00e9ralement une divergence de 30 \u00e0 40 degr\u00e9s. Une microlentille asph\u00e9rique doit \u00eatre align\u00e9e avec une pr\u00e9cision inf\u00e9rieure au micron sur la facette de l'\u00e9metteur. M\u00eame un d\u00e9faut d'alignement de 1 micron dans une lentille asph\u00e9rique est consid\u00e9r\u00e9 comme une erreur. diode laser \u00e0 \u00e9metteur multiple<\/strong> peut entra\u00eener une perte importante de luminosit\u00e9 au niveau de la mise au point finale.<\/p>\n\n\n\n

      Mise en forme et transformation des faisceaux<\/h3>\n\n\n\n

      Dans les applications industrielles haut de gamme, les fa\u00e7onneurs de faisceau \u00e0 \u201cmiroir \u00e9tag\u00e9\u201d ou \u00e0 \u201cr\u00e9flexion interne\u201d sont utilis\u00e9s pour \u201ccouper\u201d le faisceau large et fin d'une barre et empiler les segments verticalement. Ce processus \u00e9galise le BPP dans les deux axes, ce qui permet de coupler efficacement la lumi\u00e8re dans une fibre optique de petit diam\u00e8tre.<\/p>\n\n\n\n

      Analyse \u00e9conomique : Int\u00e9grit\u00e9 des composants ou maintenance du syst\u00e8me<\/h2>\n\n\n\n

      Un pi\u00e8ge courant pour les int\u00e9grateurs de syst\u00e8mes est de se concentrer sur le \u201cdollar par watt\u201d de l'appareil. pile de diodes laser<\/strong> plut\u00f4t que le \u201cdollar par heure\u201d du syst\u00e8me op\u00e9rationnel.<\/p>\n\n\n\n

      Si un puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/strong> a un WPE sup\u00e9rieur de 1%, la charge thermique du syst\u00e8me de refroidissement diminue de mani\u00e8re significative. Cet effet d'entra\u00eenement r\u00e9duit la taille du refroidisseur n\u00e9cessaire, diminue la consommation d'\u00e9lectricit\u00e9 et, surtout, prolonge le temps moyen entre les d\u00e9faillances (MTBF). En choisissant une pile \u00e0 soudure dure (AuSn) et \u00e0 facettes passiv\u00e9es, un fabricant peut \u00eatre confront\u00e9 \u00e0 un co\u00fbt initial plus \u00e9lev\u00e9 de 15%, mais r\u00e9aliser une r\u00e9duction de 50% des interventions de service sur le terrain au cours d'un cycle de vie de cinq ans.<\/p>\n\n\n\n


      \n\n\n\n

      \u00c9tude de cas : Optimisation thermique pour les plates-formes d'esth\u00e9tique m\u00e9dicale<\/h2>\n\n\n\n

      1. Contexte du client<\/h3>\n\n\n\n

      Un grand fabricant de syst\u00e8mes laser m\u00e9dicaux (sp\u00e9cialis\u00e9s dans l'\u00e9pilation et la lipolyse non invasive) connaissait un taux de d\u00e9faillance \u00e9lev\u00e9 de ses applicateurs portatifs. Les unit\u00e9s \u00e9taient fr\u00e9quemment d\u00e9ploy\u00e9es dans des r\u00e9gions o\u00f9 les temp\u00e9ratures ambiantes \u00e9taient \u00e9lev\u00e9es (35\u00b0C+), et les syst\u00e8mes de refroidissement internes atteignaient leurs limites.<\/p>\n\n\n\n

      2. Le d\u00e9fi technique<\/h3>\n\n\n\n

      La technologie existante 808nm pile de diodes laser<\/strong> \u00e9tait d\u00e9faillant en raison de la fatigue thermique de la soudure \u00e0 l'indium. L'effet \u201csourire\u201d faisait que la lumi\u00e8re laser frappait le bo\u00eetier interne de la pi\u00e8ce \u00e0 main, ce qui entra\u00eenait une surchauffe des composants en plastique et une d\u00e9livrance incoh\u00e9rente de l'\u00e9nergie au patient.<\/p>\n\n\n\n

        \n
      • Puissance requise :<\/strong> 1200W cr\u00eate.<\/li>\n\n\n\n
      • Largeur d'impulsion :<\/strong> De 10 ms \u00e0 400 ms.<\/li>\n\n\n\n
      • Cycle d'utilisation :<\/strong> Jusqu'\u00e0 25%.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        3. Param\u00e8tres techniques R\u00e9glages et solutions<\/h3>\n\n\n\n

        Nous avons redessin\u00e9 la source en utilisant un diode laser \u00e0 \u00e9metteur multiple<\/strong> bas\u00e9e sur la technologie de soudure dure AuSn.<\/p>\n\n\n\n

        Param\u00e8tre<\/strong><\/td>Sp\u00e9cification pr\u00e9c\u00e9dente<\/strong><\/td>Sp\u00e9cification optimis\u00e9e (propos\u00e9e)<\/strong><\/td><\/tr><\/thead>
        Technologie des puces<\/strong><\/td>Standard GaAs<\/td>Puce de haute puissance passiv\u00e9e au NAM<\/td><\/tr>
        Mat\u00e9riau de soudure<\/strong><\/td>Indium (mou)<\/td>AuSn (dur)<\/td><\/tr>
        M\u00e9thode de refroidissement<\/strong><\/td>Dissipateur thermique passif<\/td>Refroidissement par microcanaux (MCC)<\/td><\/tr>
        Pas de l'\u00e9metteur<\/strong><\/td>500 \u03bcm<\/td>400 \u03bcm (haute densit\u00e9)<\/td><\/tr>
        \u201cTol\u00e9rance du \u201dsourire<\/strong><\/td>< 2,0 \u03bcm<\/td>< 0,5 \u03bcm<\/td><\/tr>
        WPE (Wall-Plug Eff.)<\/strong><\/td>48%<\/td>59%<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

        4. Protocole de contr\u00f4le de la qualit\u00e9 (CQ)<\/h3>\n\n\n\n
          \n
        • Inspection optique automatis\u00e9e (AOI) :<\/strong> Tous les puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/strong> a \u00e9t\u00e9 scann\u00e9 pour d\u00e9tecter les d\u00e9fauts de facettes apr\u00e8s le d\u00e9chiquetage.<\/li>\n\n\n\n
        • Cyclage pression-temp\u00e9rature :<\/strong> Les piles ont subi 500 cycles de 10\u00b0C \u00e0 60\u00b0C pour garantir l'int\u00e9grit\u00e9 de la liaison AuSn.<\/li>\n\n\n\n
        • Br\u00fblage \u00e0 long terme :<\/strong> 100 heures de pulsation continue \u00e0 l'intensit\u00e9 maximale pour identifier les d\u00e9faillances en d\u00e9but de vie (mortalit\u00e9 infantile).<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          5. Conclusion<\/h3>\n\n\n\n

          En optant pour une pile \u00e0 haute luminosit\u00e9 et \u00e0 soudure dure, le client a r\u00e9duit le taux de d\u00e9faillance de ses appareils portables de 4,2% \u00e0 0,3% par an. L'augmentation du WPE a permis de r\u00e9duire la taille du ventilateur interne et le poids de la pi\u00e8ce \u00e0 main de 150 g, ce qui a constitu\u00e9 un argument de vente important pour les cliniciens.<\/p>\n\n\n\n


          \n\n\n\n

          Tableau de performance des donn\u00e9es techniques : S\u00e9rie Diode Stack<\/h2>\n\n\n\n

          Le tableau suivant pr\u00e9sente les mesures de performance de diverses configurations bas\u00e9es sur le syst\u00e8me d'information de l'UE. diode laser \u00e0 haute luminosit\u00e9<\/strong> normes.<\/p>\n\n\n\n

          S\u00e9rie de mod\u00e8les<\/strong><\/td>\u00c9missions totales<\/strong><\/td>Puissance de cr\u00eate (W)<\/strong><\/td>Longueur d'onde (nm)<\/strong><\/td>Courant de fonctionnement (A)<\/strong><\/td>Largeur spectrale (FWHM)<\/strong><\/td><\/tr><\/thead>
          LD-S-808-Standard<\/strong><\/td>10 barres \/ 19 \u00e9metteurs<\/td>1000<\/td>808 \u00b1 3<\/td>100<\/td>< 4 nm<\/td><\/tr>
          LD-S-940-Industriel<\/strong><\/td>12 barres \/ 24 \u00e9metteurs<\/td>1500<\/td>940 \u00b1 5<\/td>140<\/td>< 5 nm<\/td><\/tr>
          LD-S-1064-M\u00e9dical<\/strong><\/td>6 barres \/ 19 \u00e9metteurs<\/td>600<\/td>1064 \u00b1 3<\/td>80<\/td>< 4 nm<\/td><\/tr>
          LD-HB-High Bright<\/strong><\/td>Module multi-\u00e9metteurs<\/td>200 (Fibre)<\/td>976 \u00b1 1<\/td>20<\/td>< 1 nm (VBG)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

          Note : Toutes les donn\u00e9es ont \u00e9t\u00e9 mesur\u00e9es \u00e0 une temp\u00e9rature d'eau de refroidissement de 25\u00b0C.<\/em><\/p>\n\n\n\n


          \n\n\n\n

          FAQ<\/h2>\n\n\n\n

          1. Quelle est la principale cause de d\u00e9rive de la longueur d'onde dans une pile de diodes laser ?<\/h3>\n\n\n\n

          La d\u00e9rive de la longueur d'onde est principalement caus\u00e9e par un changement de la temp\u00e9rature de jonction de l'appareil. puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/strong>. Pour les diodes \u00e0 base de GaAs, la d\u00e9rive est typiquement de 0,3 nm par degr\u00e9 Celsius. Une gestion thermique efficace par l'interm\u00e9diaire du pile de diodes laser<\/strong>\u2018Le syst\u00e8me de refroidissement du moteur est le seul moyen de stabiliser la longueur d'onde de sortie.<\/p>\n\n\n\n

          2. Une diode laser \u00e0 \u00e9metteurs multiples peut-elle \u00eatre r\u00e9par\u00e9e en cas de d\u00e9faillance d'un \u00e9metteur ?<\/h3>\n\n\n\n

          Dans un syst\u00e8me standard \u00e0 base de barres diode laser \u00e0 \u00e9metteur multiple<\/strong>, Les \u00e9metteurs individuels ne peuvent pas \u00eatre r\u00e9par\u00e9s car ils font partie d'une structure semi-conductrice monolithique. Toutefois, si la d\u00e9faillance se situe au niveau des micro-optiques externes, il est parfois possible de les r\u00e9aligner. Pour les applications \u00e0 haute fiabilit\u00e9, il est plus rentable de remplacer la barre ou la pile.<\/p>\n\n\n\n

          3. Pourquoi la \u201cluminosit\u00e9\u201d est-elle plus importante que la \u201cpuissance totale\u201d dans le couplage des fibres ?<\/h3>\n\n\n\n

          La luminosit\u00e9 d\u00e9termine la puissance qui peut \u00eatre inject\u00e9e dans une fibre d'un certain diam\u00e8tre et d'une certaine ouverture num\u00e9rique (NA). Une puissance \u00e9lev\u00e9e associ\u00e9e \u00e0 une faible luminosit\u00e9 se traduit par un faisceau important qui ne peut pas p\u00e9n\u00e9trer dans la fibre, ce qui entra\u00eene un gaspillage d'\u00e9nergie et une d\u00e9t\u00e9rioration potentielle de la gaine de la fibre.<\/p>\n\n\n\n

          4. Comment la soudure AuSn am\u00e9liore-t-elle l'effet \u201csourire\u201d ?<\/h3>\n\n\n\n

          L'AuSn est une soudure dure qui ne s'affaisse pas avec le temps. Associ\u00e9 \u00e0 un dissipateur thermique adapt\u00e9 au CTE, il verrouille le syst\u00e8me de refroidissement. puce laser \u00e0 semi-conducteur<\/strong> dans une orientation parfaitement plate. Les lentilles FAC peuvent ainsi focaliser tous les \u00e9metteurs en un seul plan coh\u00e9rent.<\/p>\n\n\n\n

          5. Quels sont les signes de d\u00e9gradation d'une pile de diodes laser ?<\/h3>\n\n\n\n

          Les principaux indicateurs sont une augmentation du courant de seuil et une diminution de l'efficacit\u00e9 de la pente (mW\/mA). Si vous remarquez que le syst\u00e8me n\u00e9cessite plus de courant pour obtenir la m\u00eame sortie optique, il est probable que les puces subissent une d\u00e9gradation thermique ou une oxydation des facettes.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

          Dans le paysage contemporain de la photonique, la transition des lasers traditionnels \u00e0 gaz et \u00e0 semi-conducteurs vers les syst\u00e8mes \u00e0 diodes directes n'est pas simplement une tendance - c'est un changement fondamental dans l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la modularit\u00e9 des syst\u00e8mes. Au c\u0153ur de cette \u00e9volution se trouve la puce laser \u00e0 semi-conducteur, une merveille microscopique qui sert de moteur principal pour les photons [...]<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"themepark_post_bcolor":"#f5f5f5","themepark_post_width":"1022px","themepark_post_img":"","themepark_post_img_po":"left","themepark_post_img_re":false,"themepark_post_img_cover":false,"themepark_post_img_fixed":false,"themepark_post_hide_title":false,"themepark_post_main_b":"","themepark_post_main_p":100,"themepark_paddingblock":false,"footnotes":"","_wpscp_schedule_draft_date":"","_wpscp_schedule_republish_date":"","_wpscppro_advance_schedule":false,"_wpscppro_advance_schedule_date":"","_wpscppro_dont_share_socialmedia":false,"_wpscppro_custom_social_share_image":0,"_facebook_share_type":"","_twitter_share_type":"","_linkedin_share_type":"","_pinterest_share_type":"","_linkedin_share_type_page":"","_instagram_share_type":"","_medium_share_type":"","_threads_share_type":"","_google_business_share_type":"","_selected_social_profile":[],"_wpsp_enable_custom_social_template":false,"_wpsp_social_scheduling":{"enabled":false,"datetime":null,"platforms":[],"status":"template_only","dateOption":"today","timeOption":"now","customDays":"","customHours":"","customDate":"","customTime":"","schedulingType":"absolute"},"_wpsp_active_default_template":true},"categories":[17],"tags":[883,871,869,868,862],"class_list":["post-4172","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-industry-trends","tag-808nm-laser-diode","tag-high-brightness-laser-diode","tag-laser-diode-bar","tag-laser-diode-stack","tag-semiconductor-laser"],"metadata":{"_edit_lock":["1768459038:1"],"wpil_sync_report3":["1"],"wpil_links_inbound_internal_count":["0"],"wpil_links_inbound_internal_count_data":["eJxLtDKwqq4FAAZPAf4="],"wpil_links_outbound_internal_count":["4"],"wpil_links_outbound_internal_count_data":["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"],"wpil_links_outbound_external_count":["0"],"wpil_links_outbound_external_count_data":["eJxLtDKwqq4FAAZPAf4="],"wpil_sync_report2_time":["2026-01-15T06:37:17+00:00"],"_edit_last":["1"],"_aioseo_title":[null],"_aioseo_description":[null],"_aioseo_keywords":["a:0:{}"],"_aioseo_og_title":[""],"_aioseo_og_description":[""],"_aioseo_og_article_section":[""],"_aioseo_og_article_tags":["a:0:{}"],"_aioseo_twitter_title":[""],"_aioseo_twitter_description":[""],"ao_post_optimize":["a:6:{s:16:\"ao_post_optimize\";s:2:\"on\";s:19:\"ao_post_js_optimize\";s:2:\"on\";s:20:\"ao_post_css_optimize\";s:2:\"on\";s:12:\"ao_post_ccss\";s:2:\"on\";s:16:\"ao_post_lazyload\";s:2:\"on\";s:15:\"ao_post_preload\";s:0:\"\";}"],"catce":["sidebar-widgets4"],"_wpsp_is_facebook_share":["on"],"_wpsp_is_twitter_share":["on"],"_wpsp_is_linkedin_share":["on"],"_wpsp_is_pinterest_share":["on"],"_wpsp_custom_templates":["a:7:{s:8:\"facebook\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:7:\"twitter\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:8:\"linkedin\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:9:\"pinterest\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:9:\"instagram\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:6:\"medium\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:7:\"threads\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}}"],"views":["408"]},"aioseo_notices":[],"medium_url":false,"thumbnail_url":false,"full_url":false,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4172","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=4172"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4172\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4174,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4172\/revisions\/4174"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/me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