{"id":4133,"date":"2026-01-19T14:01:21","date_gmt":"2026-01-19T06:01:21","guid":{"rendered":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/?p=4133"},"modified":"2026-01-23T14:12:41","modified_gmt":"2026-01-23T06:12:41","slug":"le-reseau-de-semi-conducteurs-lingenierie-du-spectre-visible","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/fr\/le-reseau-de-semi-conducteurs-lingenierie-du-spectre-visible-html","title":{"rendered":"Le r\u00e9seau de semi-conducteurs : Ing\u00e9nierie du spectre visible"},"content":{"rendered":"

L'\u00e9volution de la photonique moderne est d\u00e9finie par la ma\u00eetrise du groupe des semi-conducteurs III-V. Lorsqu'un ing\u00e9nieur concepteur cherche \u00e0 int\u00e9grer un Diode laser 520nm<\/strong> ou un diode laser uv<\/strong>, En effet, ils ne se contentent pas de s\u00e9lectionner une source de lumi\u00e8re, ils choisissent une configuration sp\u00e9cifique du r\u00e9seau cristallin qui dicte les limites thermodynamiques de l'ensemble de leur syst\u00e8me. La gamme spectrale allant de l'ultraviolet (UV) au cyan Laser 488nm<\/strong> au rouge profond Laser 650nm<\/strong> repr\u00e9sente un voyage \u00e0 travers diff\u00e9rents syst\u00e8mes de mat\u00e9riaux, chacun pr\u00e9sentant des d\u00e9fis uniques en mati\u00e8re de croissance \u00e9pitaxiale et de confinement des porteurs.<\/p>\n\n\n\n

Dans le spectre visible, le principal d\u00e9fi pour tout fabricant est le \u201cfoss\u00e9 vert\u201d. Alors que les diodes bleues (450 nm) et les diodes rouges (Laser 650nm<\/a><\/strong>) ont atteint un haut niveau d'efficacit\u00e9 (Wall-Plug Efficiency, WPE), les 520 nm<\/strong> reste une zone de compromis physique intense. Cela est d\u00fb \u00e0 la disparit\u00e9 de r\u00e9seau entre le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure de gallium d'indium (InGaN). Pour atteindre les longueurs d'onde vertes d'un laser 520 nm<\/a><\/strong> la teneur en indium des puits quantiques doit \u00eatre consid\u00e9rablement augment\u00e9e. Cette concentration accrue d'indium induit une forte d\u00e9formation dans le r\u00e9seau, ce qui entra\u00eene l'effet Stark \u00e0 confinement quantique (QCSE).<\/p>\n\n\n\n

La physique de la trou\u00e9e verte : 520 nm et le QCSE<\/h3>\n\n\n\n

Le Diode laser 520nm<\/a><\/strong> fonctionne dans ce r\u00e9gime InGaN\/GaN d\u00e9form\u00e9. Le QCSE est caract\u00e9ris\u00e9 par de forts champs pi\u00e9zo\u00e9lectriques internes qui s\u00e9parent spatialement les fonctions d'onde des \u00e9lectrons et des trous \u00e0 l'int\u00e9rieur du puits quantique. Cette s\u00e9paration r\u00e9duit la probabilit\u00e9 de recombinaison radiative, diminuant ainsi l'efficacit\u00e9 quantique interne (IQE). Pour l'utilisateur final, cela se traduit par un courant de seuil plus \u00e9lev\u00e9 et des exigences accrues en mati\u00e8re de dissipation thermique.<\/p>\n\n\n\n

Lors de l'\u00e9valuation d'un laser 520 nm<\/strong> En ce qui concerne la source d'\u00e9nergie, la diff\u00e9renciation technique r\u00e9side dans la mani\u00e8re dont les couches \u00e9pitaxi\u00e9es sont \u201cgradu\u00e9es\u201d. Les techniques de croissance avanc\u00e9es utilisent une couche tampon pour g\u00e9rer la transition de d\u00e9formation, ce qui permet de filtrer partiellement les champs de polarisation. Cette nuance technique est la raison pour laquelle le prix des diodes laser<\/a><\/strong> pour les diodes vertes de haute qualit\u00e9 reste \u00e9lev\u00e9 par rapport aux diodes bleues ou rouges. Il ne s'agit pas d'une question de raret\u00e9, mais de la pr\u00e9cision requise pour produire un r\u00e9seau \u201cd\u00e9tendu\u201d qui maintienne une puret\u00e9 spectrale \u00e9lev\u00e9e et un faible niveau de bruit.<\/p>\n\n\n\n

Naviguer \u00e0 la fronti\u00e8re du cyan : Le laser 488nm<\/h3>\n\n\n\n

Le Laser 488nm<\/a><\/strong> occupe un cr\u00e9neau essentiel en bio-fluorescence et en cytom\u00e9trie de flux. Historiquement domin\u00e9s par des lasers \u00e0 gaz argon-ion encombrants et inefficaces, la transition vers les lasers \u00e0 semi-conducteurs a permis de r\u00e9duire les co\u00fbts de production et d'augmenter la productivit\u00e9. Laser 488nm<\/strong> a r\u00e9volutionn\u00e9 les diagnostics m\u00e9dicaux portables. D'un point de vue physique, 488 nm est le \u201csweet spot\u201d du syst\u00e8me InGaN. Elle n\u00e9cessite moins d'indium que 520nm, ce qui r\u00e9duit la d\u00e9formation du r\u00e9seau et augmente l'efficacit\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

Toutefois, le Laser 488nm<\/strong> est confront\u00e9e \u00e0 un d\u00e9fi unique en mati\u00e8re de \u201cstabilit\u00e9 spectrale\u201d. Comme de nombreux fluorophores ont des bandes d'absorption \u00e9troites, la diode doit maintenir une longueur d'onde centrale stable \u00e0 travers une gamme de temp\u00e9ratures de fonctionnement. Cela n\u00e9cessite une conception de bo\u00eetier \u00e0 faible r\u00e9sistance thermique ($R_{th}$). Dans les instruments haut de gamme, une diode 488 nm est souvent associ\u00e9e \u00e0 un r\u00e9seau de Bragg externe (VBG) pour \u201cverrouiller\u201d la longueur d'onde, transformant une diode Fabry-Perot standard en une source \u00e0 largeur de raie \u00e9troite adapt\u00e9e \u00e0 la spectroscopie Raman.<\/p>\n\n\n\n

La fronti\u00e8re de l'ultraviolet : Int\u00e9grit\u00e9 des diodes laser UV<\/h3>\n\n\n\n

En se d\u00e9pla\u00e7ant vers l'extr\u00e9mit\u00e9 la plus courte du spectre, la diode laser uv<\/a><\/strong> (typiquement 375nm \u00e0 405nm) introduit un ensemble diff\u00e9rent de modes de d\u00e9faillance. \u00c0 mesure que la bande interdite augmente, l'\u00e9nergie du photon se rapproche de l'\u00e9nergie de liaison du mat\u00e9riau semi-conducteur lui-m\u00eame. Un photon UV \u00e0 375 nm poss\u00e8de environ 3,3 eV. Cette \u00e9nergie est suffisante pour d\u00e9clencher des r\u00e9actions photochimiques sur les facettes du laser, entra\u00eenant une \u201coxydation des facettes\u201d acc\u00e9l\u00e9r\u00e9e.\u201d<\/p>\n\n\n\n

Pour un fabricant, la production d'un diode laser uv<\/strong> n\u00e9cessite des environnements sous vide ultra-propres pour la passivation des facettes. Si m\u00eame une monocouche de contaminant organique est pr\u00e9sente pendant le processus de rev\u00eatement, la lumi\u00e8re UV \u201ccarbonisera\u201d la facette, ce qui entra\u00eenera des dommages optiques catastrophiques (COD). En outre, le dopage de type p dans l'AlGaN \u00e0 haute teneur en Al (utilis\u00e9 pour les UV plus profonds) est notoirement difficile en raison de l'\u00e9nergie d'activation \u00e9lev\u00e9e des accepteurs de magn\u00e9sium. Il en r\u00e9sulte une r\u00e9sistance en s\u00e9rie \u00e9lev\u00e9e et un \u00e9chauffement localis\u00e9, qui est le principal facteur de d\u00e9faillance pr\u00e9matur\u00e9e des syst\u00e8mes UV.<\/p>\n\n\n\n

Pr\u00e9cision de la longueur d'onde rouge : Le laser 650 nm<\/h3>\n\n\n\n

Contrairement aux lasers verts et UV \u00e0 base de nitrure, le Laser 650nm<\/strong> est g\u00e9n\u00e9ralement bas\u00e9 sur le syst\u00e8me de mat\u00e9riaux AlGaInP\/GaAs. Il s'agit d'une technologie mature, mais qui reste thermosensible. La \u201cfuite d'\u00e9lectrons\u201d sur l'h\u00e9t\u00e9roporteuse est le m\u00e9canisme de perte dominant dans les diodes rouges. Lorsque la temp\u00e9rature augmente, les \u00e9lectrons acqui\u00e8rent suffisamment d'\u00e9nergie thermique pour \u201cs'\u00e9chapper\u201d du puits quantique vers la couche de recouvrement p, o\u00f9 ils se recombinent de mani\u00e8re non radiative.<\/p>\n\n\n\n

Pour l'acheteur OEM, cela signifie qu'un Laser 650nm<\/strong> n\u00e9cessite une logique sophistiqu\u00e9e de pilotage du courant. Contrairement aux diodes UV ou vertes, qui peuvent \u00eatre un peu plus \u201crobustes\u201d contre les pointes de courant, le r\u00e9seau AlGaInP rouge est sujet \u00e0 une d\u00e9gradation rapide si la temp\u00e9rature de jonction ($T_j$) n'est pas strictement contr\u00f4l\u00e9e. Cela souligne l'importance du mat\u00e9riau de sous-montage - typiquement le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure d'aluminium (AlN) - dans la construction du module.<\/p>\n\n\n\n

Comparaison technique des syst\u00e8mes de mat\u00e9riaux spectraux<\/h3>\n\n\n\n

Le tableau suivant compare les param\u00e8tres physiques et op\u00e9rationnels fondamentaux des diodes \u00e0 travers le spectre. Ces valeurs sont essentielles pour d\u00e9terminer les exigences en mati\u00e8re de refroidissement et d'alimentation d'une diode. module laser<\/a>.<\/p>\n\n\n\n

Longueur d'onde<\/strong><\/td>Syst\u00e8me de mat\u00e9riaux<\/strong><\/td>Bande interdite (eV)<\/strong><\/td>WPE typique (%)<\/strong><\/td>Mode de d\u00e9faillance dominant<\/strong><\/td>D\u00e9calage thermique (nm\/\u00b0C)<\/strong><\/td><\/tr><\/thead>
375nm (UV)<\/strong><\/td>AlGaN \/ GaN<\/td>3.31<\/td>15% – 25%<\/td>Oxydation des facettes \/ carbonisation<\/td>0.05<\/td><\/tr>
488nm (Cyan)<\/strong><\/td>InGaN \/ GaN<\/td>2.54<\/td>25% – 35%<\/td>Propagation des dislocations<\/td>0.04<\/td><\/tr>
520nm (vert)<\/strong><\/td>InGaN \/ GaN<\/td>2.38<\/td>10% – 20%<\/td>QCSE \/ S\u00e9gr\u00e9gation de l'indium<\/td>0.03<\/td><\/tr>
650 nm (rouge)<\/strong><\/td>AlGaInP \/ GaAs<\/td>1.91<\/td>35% – 45%<\/td>Fuite du transporteur \/ H\u00e9t\u00e9ro-barri\u00e8re<\/td>0.25<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Qualit\u00e9 des composants et fiabilit\u00e9 du syst\u00e8me<\/h3>\n\n\n\n

Lors de l'achat de diodes, le \u201cco\u00fbt unitaire\u201d est souvent un indicateur trompeur. Une diode moins ch\u00e8re Diode laser 520nm<\/strong> peut utiliser une puce dont la \u201cdensit\u00e9 de dislocation\u201d est plus \u00e9lev\u00e9e. Les dislocations sont essentiellement des \u201cfissures\u201d dans le r\u00e9seau atomique. Sous la contrainte d'une injection de courant \u00e9lev\u00e9e, ces dislocations se d\u00e9placent et se multiplient, formant des d\u00e9fauts de ligne sombre (Dark Line Defects - DLD).<\/p>\n\n\n\n

Dans un dispositif m\u00e9dical, tel qu'un laser pour le s\u00e9quen\u00e7age de l'ADN, une baisse soudaine de la puissance due \u00e0 la croissance de la DLD peut ruiner un diagnostic de 24 heures. Le \u201cco\u00fbt r\u00e9el\u201d de la diode comprend alors le co\u00fbt des r\u00e9actifs gaspill\u00e9s et le temps du technicien. C'est pourquoi les professionnels diode laser uv<\/strong> et l'achat de diodes visibles doivent donner la priorit\u00e9 \u00e0 la stabilit\u00e9 \u201cLIV\u201d (Light-Current-Voltage) et \u00e0 l'historique \u201cBurn-in\u201d fourni par le fabricant.<\/p>\n\n\n\n

\u00c9tude de cas : Int\u00e9gration de la fluorescence multicanaux pour la cytom\u00e9trie en flux<\/h3>\n\n\n\n

Historique de la client\u00e8le :<\/p>\n\n\n\n

Une soci\u00e9t\u00e9 allemande de diagnostic clinique d\u00e9veloppait un cytom\u00e8tre de flux \u00e0 haut d\u00e9bit. Le syst\u00e8me n\u00e9cessitait trois sources d'excitation simultan\u00e9es : laser 488nm, 520 nm et laser 650nm. La principale contrainte \u00e9tait le \u201cbruit optique\u201d (RMS < 0,5%) et la n\u00e9cessit\u00e9 d'un dissipateur thermique commun pour minimiser l'encombrement du dispositif.<\/p>\n\n\n\n

D\u00e9fis techniques :<\/p>\n\n\n\n

La diode de 520 nm pr\u00e9sentait un \u201csaut de mode\u201d significatif lorsque la temp\u00e9rature ambiante fluctuait, ce qui interf\u00e9rait avec le rapport signal\/bruit du canal de fluorescence vert. En outre, la charge thermique \u00e9lev\u00e9e des diodes UV\/Cyan affectait le courant de seuil de la diode rouge en raison de la diaphonie thermique sur le collecteur partag\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

Param\u00e8tres techniques et r\u00e9glages :<\/strong><\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Cha\u00eenes :<\/strong> 488nm (50mW), 520nm (30mW), 650nm (100mW).<\/li>\n\n\n\n
  • Exigence en mati\u00e8re de bruit :<\/strong> <0,2% RMS (20Hz \u00e0 20MHz).<\/li>\n\n\n\n
  • Stabilit\u00e9 du pointage :<\/strong> <10 \u00b5rad\/\u00b0C.<\/li>\n\n\n\n
  • Couplage de fibres :<\/strong> Fibre monomode (c\u0153ur de 4\u00b5m).<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Contr\u00f4le de la qualit\u00e9 (CQ) et solution d'ing\u00e9nierie :<\/p>\n\n\n\n

    La solution a consist\u00e9 en une approche \u00e0 deux niveaux. Tout d'abord, la diode laser de 520 nm a \u00e9t\u00e9 s\u00e9lectionn\u00e9e \u00e0 partir d'une plaquette \u201cCenter-Bin\u201d pr\u00e9sentant une fluctuation minimale de l'indium afin de garantir une structure stable du mode longitudinal. Deuxi\u00e8mement, nous avons mis en \u0153uvre une strat\u00e9gie de \u201cd\u00e9couplage thermo\u00e9lectrique\u201d. Bien que les diodes partagent un support physique, nous avons utilis\u00e9 des \u201ccales c\u00e9ramiques isolantes\u201d pour cr\u00e9er un chemin \u00e0 haute r\u00e9sistance thermique entre le canal 650nm et le canal 520nm.<\/p>\n\n\n\n

    Pour les Laser 488nm<\/strong>, Pour ce faire, nous avons utilis\u00e9 une boucle de r\u00e9troaction \u00e0 \u201cpuissance optique constante\u201d via une photodiode interne. Cela a permis de compenser le \u201cstatisme thermique\u201d sans n\u00e9cessiter de changement radical du courant d'entra\u00eenement, ce qui a contribu\u00e9 \u00e0 maintenir la stabilit\u00e9 spectrale.<\/p>\n\n\n\n

    Conclusion :<\/p>\n\n\n\n

    Le module int\u00e9gr\u00e9 a pass\u00e9 avec succ\u00e8s tous les tests de validation clinique. Le client a indiqu\u00e9 qu'en utilisant des diodes \u201cMatched-Bin\u201d et un d\u00e9couplage thermique avanc\u00e9, il a obtenu un rapport signal\/bruit sup\u00e9rieur de 15% \u00e0 celui de son prototype pr\u00e9c\u00e9dent. En outre, le test de vieillissement acc\u00e9l\u00e9r\u00e9 de 10 000 heures n'a r\u00e9v\u00e9l\u00e9 aucune d\u00e9faillance sur 50 unit\u00e9s, ce qui confirme l'int\u00e9grit\u00e9 de la passivation des facettes sur les canaux cyan et vert.<\/p>\n\n\n\n

    FAQ sur l'ing\u00e9nierie<\/h3>\n\n\n\n

    Q : Pourquoi le d\u00e9calage thermique (nm\/\u00b0C) est-il beaucoup plus \u00e9lev\u00e9 pour le laser \u00e0 650 nm que pour le laser \u00e0 520 nm ?<\/p>\n\n\n\n

    R : Cela est d\u00fb \u00e0 la diff\u00e9rence de d\u00e9pendance \u00e0 la temp\u00e9rature de l'indice de r\u00e9fraction et de la bande interdite des mat\u00e9riaux. L'AlGaInP (rouge) a un coefficient de bande interdite en fonction de la temp\u00e9rature beaucoup plus sensible que les mat\u00e9riaux \u00e0 base de GaN (vert\/UV). Cela rend les diodes rouges plus sensibles \u00e0 la \u201cd\u00e9rive\u201d de la longueur d'onde dans des environnements non stabilis\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n

    Q : Une diode laser UV peut-elle \u00eatre utilis\u00e9e indiff\u00e9remment pour le s\u00e9chage et la d\u00e9tection m\u00e9dicale ?<\/p>\n\n\n\n

    R : Techniquement, oui, mais les exigences sont diff\u00e9rentes. La polym\u00e9risation n\u00e9cessite g\u00e9n\u00e9ralement une puissance brute \u00e9lev\u00e9e (multimode), o\u00f9 la largeur spectrale est moins importante. La d\u00e9tection m\u00e9dicale n\u00e9cessite g\u00e9n\u00e9ralement une diode laser UV monomode \u00e0 faible bruit et \u00e0 haute qualit\u00e9 de faisceau ($M^2 < 1,2$). L'utilisation d'une diode de qualit\u00e9 curing pour la d\u00e9tection entra\u00eenera un bruit de fond \u00e9lev\u00e9 et une mauvaise focalisation.<\/p>\n\n\n\n

    Q : Qu'est-ce que la \u201cs\u00e9gr\u00e9gation de l'indium\u201d dans un laser de 520 nm ?<\/p>\n\n\n\n

    R : Dans la r\u00e9gion active de l'InGaN, les atomes d'indium ont tendance \u00e0 se regrouper plut\u00f4t qu'\u00e0 se r\u00e9partir uniform\u00e9ment. Ces amas cr\u00e9ent des \u201cpoints quantiques\u201d dont les \u00e9tats d'\u00e9nergie sont inf\u00e9rieurs \u00e0 ceux du mat\u00e9riau environnant. Bien que cela puisse parfois faciliter la localisation des porteurs, une s\u00e9gr\u00e9gation excessive entra\u00eene un \u00e9largissement du spectre d'\u00e9mission et une diminution de l'efficacit\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

    Q : Pourquoi le courant de seuil d'un laser de 520 nm est-il beaucoup plus \u00e9lev\u00e9 que celui d'un laser bleu de 450 nm ?<\/p>\n\n\n\n

    R : Cela est principalement d\u00fb \u00e0 l'effet Stark confin\u00e9 quantique (QCSE) et \u00e0 la densit\u00e9 de dislocation plus \u00e9lev\u00e9e associ\u00e9e \u00e0 la forte teneur en indium. Des courants de seuil plus \u00e9lev\u00e9s sont une n\u00e9cessit\u00e9 physique pour obtenir l'inversion de population n\u00e9cessaire \u00e0 la formation de l'effet laser dans le r\u00e9seau vert d\u00e9form\u00e9.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    L'\u00e9volution de la photonique moderne est d\u00e9finie par la ma\u00eetrise du groupe des semi-conducteurs III-V. Lorsqu'un ing\u00e9nieur concepteur cherche \u00e0 int\u00e9grer une diode laser 520 nm ou une diode laser UV, il ne s\u00e9lectionne pas simplement une source de lumi\u00e8re ; il choisit une configuration sp\u00e9cifique du r\u00e9seau cristallin qui dicte les limites thermodynamiques de l'ensemble de son [...]<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"themepark_post_bcolor":"#f5f5f5","themepark_post_width":"1022px","themepark_post_img":"","themepark_post_img_po":"left","themepark_post_img_re":false,"themepark_post_img_cover":false,"themepark_post_img_fixed":false,"themepark_post_hide_title":false,"themepark_post_main_b":"","themepark_post_main_p":100,"themepark_paddingblock":false,"footnotes":"","_wpscp_schedule_draft_date":"","_wpscp_schedule_republish_date":"","_wpscppro_advance_schedule":false,"_wpscppro_advance_schedule_date":"","_wpscppro_dont_share_socialmedia":false,"_wpscppro_custom_social_share_image":0,"_facebook_share_type":"","_twitter_share_type":"","_linkedin_share_type":"","_pinterest_share_type":"","_linkedin_share_type_page":"","_instagram_share_type":"","_medium_share_type":"","_threads_share_type":"","_google_business_share_type":"","_selected_social_profile":[],"_wpsp_enable_custom_social_template":false,"_wpsp_social_scheduling":{"enabled":false,"datetime":null,"platforms":[],"status":"template_only","dateOption":"today","timeOption":"now","customDays":"","customHours":"","customDate":"","customTime":"","schedulingType":"absolute"},"_wpsp_active_default_template":true},"categories":[17],"tags":[875,877],"class_list":["post-4133","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-industry-trends","tag-488nm-laser-diode","tag-520nm-laser-diode"],"metadata":{"_edit_lock":["1768457007:1"],"wpil_sync_report3":["1"],"wpil_links_inbound_internal_count":["0"],"wpil_links_inbound_internal_count_data":["eJxLtDKwqq4FAAZPAf4="],"wpil_links_outbound_internal_count":["7"],"wpil_links_outbound_internal_count_data":["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"],"wpil_links_outbound_external_count":["0"],"wpil_links_outbound_external_count_data":["eJxLtDKwqq4FAAZPAf4="],"wpil_sync_report2_time":["2026-01-15T06:03:23+00:00"],"_edit_last":["1"],"_aioseo_title":["Engineering Visible & UV Diodes: 520nm to UV Technical Guide"],"_aioseo_description":["A technical analysis of InGaN and AlGaInP laser diode physics. 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