{"id":4178,"date":"2026-01-28T14:38:14","date_gmt":"2026-01-28T06:38:14","guid":{"rendered":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/?p=4178"},"modified":"2026-01-15T14:38:54","modified_gmt":"2026-01-15T06:38:54","slug":"engineering-reliability-el-impacto-de-la-integridad-del-chip-laser-semiconductor-en-el-rendimiento-de-la-pila-de-alta-potencia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/engineering-reliability-el-impacto-de-la-integridad-del-chip-laser-semiconductor-en-el-rendimiento-de-la-pila-de-alta-potencia-html","title":{"rendered":"Ingenier\u00eda de fiabilidad: El impacto de la integridad del chip l\u00e1ser semiconductor en el rendimiento de la pila de alta potencia"},"content":{"rendered":"

La transici\u00f3n industrial hacia los l\u00e1seres de diodo directo y los sistemas de bombeo de alta potencia ha puesto un foco de atenci\u00f3n sin precedentes en el componente fundamental de la fot\u00f3nica: el chip semiconductor l\u00e1ser<\/strong>. Aunque la potencia de salida total suele ser el par\u00e1metro principal en las adquisiciones, el verdadero valor de un pila de diodos l\u00e1ser<\/strong> se mide por su estabilidad espectral y su capacidad para resistir la degradaci\u00f3n durante decenas de miles de horas de funcionamiento. Para los integradores de sistemas que fabrican l\u00e1seres de fibra de alto brillo o equipos m\u00e9dicos quir\u00fargicos, comprender la transici\u00f3n de la f\u00edsica a nivel de chip a la ingenier\u00eda a nivel de pila es primordial para reducir los costes operativos a largo plazo.<\/p>\n\n\n\n

Excelencia epitaxial: El ciclo de vida de un chip l\u00e1ser semiconductor<\/h2>\n\n\n\n

El rendimiento de un diodo l\u00e1ser de alta luminosidad<\/a><\/strong> se determina mucho antes del proceso de dorado o de la colocaci\u00f3n del colector de refrigeraci\u00f3n. Comienza en el reactor MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), donde las capas epitaxiales crecen con precisi\u00f3n de capa at\u00f3mica.<\/p>\n\n\n\n

Uniformidad de la regi\u00f3n activa<\/h3>\n\n\n\n

La regi\u00f3n activa de un chip semiconductor l\u00e1ser<\/a><\/strong> consiste normalmente en pozos cu\u00e1nticos de InGaAs\/AlGaAs tensados. La fiabilidad viene dictada por la uniformidad de estas capas en toda la oblea. Cualquier variaci\u00f3n en el grosor del pozo cu\u00e1ntico, aunque sea de unos pocos angstroms, provoca un desplazamiento de la longitud de onda de emisi\u00f3n. En un diodo l\u00e1ser multiemisor<\/a><\/strong> bar, si los emisores a lo largo de la anchura de 10 mm tienen longitudes de onda variables, el \u201censanchamiento espectral\u201d resultante hace imposible bombear eficazmente l\u00e1seres de estado s\u00f3lido o de fibra que tengan bandas de absorci\u00f3n estrechas (como las fibras dopadas con Yb a 976 nm).<\/p>\n\n\n\n

Eficiencia cu\u00e1ntica interna frente a carga t\u00e9rmica<\/h3>\n\n\n\n

Los chips de alto rendimiento se dise\u00f1an para maximizar la eficiencia cu\u00e1ntica interna, garantizando que la mayor\u00eda de los electrones inyectados se conviertan en fotones y no en calor. A altas corrientes de inyecci\u00f3n, la \u201cfuga de portadores\u201d se convierte en un problema importante. Los electrones escapan del confinamiento del pozo cu\u00e1ntico y se recombinan en las capas de revestimiento. Esto no s\u00f3lo reduce la eficiencia, sino que aumenta la temperatura de uni\u00f3n, acelerando la formaci\u00f3n de defectos de l\u00ednea oscura (DLD). Un chip con un confinamiento de portadores superior requiere una refrigeraci\u00f3n menos agresiva, lo que repercute directamente en la complejidad y el peso del chip final. pila de diodos l\u00e1ser<\/a><\/strong>.<\/p>\n\n\n\n

Escalado de potencia mediante geometr\u00eda de diodo l\u00e1ser multiemisor<\/h2>\n\n\n\n

Para conseguir la potencia de kilovatios necesaria para el corte o el revestimiento industrial de metales, los emisores individuales se agrupan en barras, y \u00e9stas se integran en un multiemisor diodo l\u00e1ser<\/a><\/strong> montaje.<\/p>\n\n\n\n

El dilema del factor de llenado<\/h3>\n\n\n\n

El \u201cFactor de llenado\u201d es la relaci\u00f3n entre el \u00e1rea emisora y la anchura total de la barra l\u00e1ser. Un factor de llenado alto (por ejemplo, 50% o superior) permite una salida de potencia masiva, pero crea una zona de calor concentrado que es dif\u00edcil de enfriar. Para diodo l\u00e1ser de alta luminosidad<\/strong> se suele preferir un factor de llenado m\u00e1s bajo (20% a 30%). Este espaciado permite una mejor disipaci\u00f3n del calor entre emisores y facilita el uso de micro\u00f3pticos para la colimaci\u00f3n individual de los emisores, lo que es esencial para preservar el producto par\u00e1metro del haz (PPH).<\/p>\n\n\n\n

Tensi\u00f3n mec\u00e1nica y precisi\u00f3n de paso<\/h3>\n\n\n\n

Cuando se montan varios emisores, la precisi\u00f3n mec\u00e1nica del \u201cpaso\u201d (la distancia entre emisores) es fundamental. En aplicaciones de alta potencia, incluso una desviaci\u00f3n de 2 micras en la posici\u00f3n de los emisores puede dar lugar a importantes \u201cerrores de apuntamiento\u201d despu\u00e9s de que la luz pase por un colimador de eje r\u00e1pido (FAC). Para el constructor del sistema, esto significa que una pila barata con tolerancias de montaje deficientes tendr\u00e1 una potencia \u201cutilizable\u201d mucho menor, ya que una parte significativa de la luz no entrar\u00e1 en la fibra de entrega.<\/p>\n\n\n\n

Ingenier\u00eda espectral en la pila de diodos l\u00e1ser<\/h2>\n\n\n\n

En las aplicaciones industriales modernas, la potencia por s\u00ed sola es insuficiente; la \u201cluminosidad espectral\u201d es la nueva referencia. Esto es especialmente cierto para la longitud de onda de 976 nm utilizada en el bombeo l\u00e1ser de fibra, donde el pico de absorci\u00f3n de la fibra es estrecho (aprox. 1-2 nm).<\/p>\n\n\n\n

Integraci\u00f3n de la rejilla de Bragg de volumen (VBG)<\/h3>\n\n\n\n

Para bloquear la longitud de onda y estrechar el espectro, se suele colocar una rejilla de Bragg de volumen delante del pila de diodos l\u00e1ser<\/strong>. Sin embargo, el \u00e9xito del bloqueo VBG depende por completo de la \u201cpureza espectral\u201d de la subyacente l\u00e1ser semiconductor<\/a> chip<\/strong>. Si el perfil de ganancia natural del chip es demasiado amplio o si se produce el efecto \u201csonrisa\u201d (arqueamiento mec\u00e1nico), el VBG s\u00f3lo bloquear\u00e1 una parte de la luz, lo que provocar\u00e1 picos \u201cpar\u00e1sitos\u201d que pueden da\u00f1ar el sistema l\u00e1ser por retrorreflexi\u00f3n o calentamiento localizado.<\/p>\n\n\n\n

Estabilizaci\u00f3n de la longitud de onda y retroalimentaci\u00f3n t\u00e9rmica<\/h3>\n\n\n\n

Una pila bien dise\u00f1ada mantiene una longitud de onda estable incluso al aumentar la corriente. Esto requiere una impedancia t\u00e9rmica equilibrada en todas las barras de la pila. Si la barra superior de una pila de 10 barras est\u00e1 5 grados m\u00e1s caliente que la inferior, sus longitudes de onda divergir\u00e1n, ampliando el espectro total de salida. Esta falta de uniformidad t\u00e9rmica es un punto de fallo com\u00fan en las pilas de nivel inferior, en las que el dise\u00f1o del colector de refrigeraci\u00f3n no tiene en cuenta la din\u00e1mica de fluidos y las ca\u00eddas de presi\u00f3n en las barras.<\/p>\n\n\n\n

De la calidad de los componentes al coste total de propiedad (TCO)<\/h2>\n\n\n\n

La l\u00f3gica de \u201ccomprar barato\u201d suele fracasar en la industria fot\u00f3nica debido al elevado coste de los tiempos de inactividad de los sistemas. A pila de diodos l\u00e1ser<\/strong> no es un consumible; es el motor central de la m\u00e1quina.<\/p>\n\n\n\n

La relaci\u00f3n de Arrhenius en la degradaci\u00f3n l\u00e1ser<\/h3>\n\n\n\n

La vida \u00fatil ($L$) de un diodo est\u00e1 exponencialmente relacionada con su temperatura de uni\u00f3n ($T_j$):<\/p>\n\n\n\n

$L \\propto \\exp(E_a \/ k T_j)$<\/p>\n\n\n\n

Donde $E_a$ es la energ\u00eda de activaci\u00f3n del mecanismo de degradaci\u00f3n y $k$ es la constante de Boltzmann. Una reducci\u00f3n de tan solo 10 \u00b0C en la temperatura de uni\u00f3n -lograda mediante una mayor eficiencia del chip o una refrigeraci\u00f3n superior de la pila- puede duplicar la vida \u00fatil operativa del dispositivo. Desde un punto de vista econ\u00f3mico, una pila que cuesta 20% m\u00e1s pero dura 100% m\u00e1s reduce el coste total de propiedad casi a la mitad si se tienen en cuenta la mano de obra de sustituci\u00f3n y el tiempo de producci\u00f3n perdido.<\/p>\n\n\n\n

Caso pr\u00e1ctico: Bombeo de alta eficiencia para l\u00e1seres de fibra \u00f3ptica industriales<\/h2>\n\n\n\n

1. Antecedentes del cliente<\/h3>\n\n\n\n

Un fabricante de l\u00e1seres industriales estaba desarrollando un l\u00e1ser de fibra CW de 20 kW para aplicaciones de soldadura en astilleros. El sistema requer\u00eda una fuente de bombeo fiable de 976 nm capaz de mantener una anchura espectral estrecha en condiciones ambientales variables.<\/p>\n\n\n\n

2. El reto t\u00e9cnico<\/h3>\n\n\n\n

El prototipo inicial utilizaba diodo l\u00e1ser multiemisor<\/strong> pilas. Sin embargo, a medida que aumentaba la potencia de bombeo, el \u201cdesplazamiento de longitud de onda\u201d hac\u00eda que la luz de bombeo se alejara del pico de absorci\u00f3n del iterbio. Esto provoc\u00f3 que la luz de la bomba no absorbida llegara a los combinadores del l\u00e1ser de fibra, causando un fallo t\u00e9rmico catastr\u00f3fico de los componentes \u00f3pticos.<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Longitud de onda objetivo:<\/strong> 976nm (Estabilizado).<\/li>\n\n\n\n
  • Anchura espectral:<\/strong> < 1,0 nm (FWHM).<\/li>\n\n\n\n
  • Entorno operativo:<\/strong> Suelo industrial con fluctuaciones de temperatura de 10\u00b0C a 40\u00b0C.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    3. Ajustes de los par\u00e1metros t\u00e9cnicos y soluci\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n

    Hemos implantado un pila de diodos l\u00e1ser<\/strong> utilizando avanzados chip semiconductor l\u00e1ser<\/strong> con una arquitectura especializada de \u201clongitud de onda bloqueada\u201d.<\/p>\n\n\n\n

    Par\u00e1metro<\/strong><\/td>Pila base<\/strong><\/td>Pila optimizada de alto brillo<\/strong><\/td><\/tr><\/thead>
    Longitud de onda central<\/strong><\/td>976 nm<\/td>976,2 mn<\/td><\/tr>
    Ancho espectral (FWHM)<\/strong><\/td>4,5 nm<\/td>0,8 nm (VBG bloqueado)<\/td><\/tr>
    Desplazamiento de la longitud de onda en funci\u00f3n de la temperatura<\/strong><\/td>0,35 nm\/\u00b0C<\/td>0,02 nm\/\u00b0C<\/td><\/tr>
    Delta de temperatura de barra a barra<\/strong><\/td>6.5 \u00b0C<\/td>1.8 \u00b0C<\/td><\/tr>
    Potencia m\u00e1xima por barra<\/strong><\/td>100 W<\/td>135 W<\/td><\/tr>
    Resistencia t\u00e9rmica<\/strong><\/td>0,45 K\/W<\/td>0,28 K\/W<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

    4. Control de calidad (CC) y validaci\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n
      \n
    • Cartograf\u00eda espectral:<\/strong> Cada diodo l\u00e1ser multiemisor<\/strong> se mape\u00f3 para comprobar la uniformidad de la longitud de onda antes de integrarla en la pila.<\/li>\n\n\n\n
    • Pruebas de fluidos a alta presi\u00f3n:<\/strong> Los refrigeradores de microcanales se probaron a 10 bares de presi\u00f3n para garantizar que no hubiera fugas ni restricciones de flujo que pudieran causar \u201cpuntos calientes\u201d.\u201d<\/li>\n\n\n\n
    • Perfiles electro\u00f3pticos de eficiencia:<\/strong> Las pilas se probaron a 110% de corriente nominal para garantizar que las facetasNAM (espejo no absorbente) de los chips pudieran soportar sobretensiones extremas.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      5. Conclusi\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n

      Al utilizar una pila con una conductividad t\u00e9rmica superior y chips compatibles con VBG, el cliente consigui\u00f3 una salida estable de 20 kW. El espectro estrecho aument\u00f3 la eficiencia de absorci\u00f3n de la bomba de 75% a 92%, lo que redujo significativamente la carga t\u00e9rmica del sistema de refrigeraci\u00f3n del l\u00e1ser de fibra y permiti\u00f3 un dise\u00f1o general m\u00e1s compacto.<\/p>\n\n\n\n

      Datos t\u00e9cnicos de rendimiento: Pilas de diodos y control espectral<\/h2>\n\n\n\n

      Esta tabla compara diferentes grados de pila de diodos l\u00e1ser<\/strong> configuraciones basadas en la integridad del chip y la tecnolog\u00eda de montaje.<\/p>\n\n\n\n

      Categor\u00eda<\/strong><\/td>Grado econ\u00f3mico<\/strong><\/td>Grado industrial<\/strong><\/td>Serie de alto brillo<\/strong><\/td><\/tr><\/thead>
      Grado de viruta<\/strong><\/td>Grado est\u00e1ndar<\/td>Pasivado de alta fiabilidad<\/td>Eficiencia ultra alta<\/td><\/tr>
      Tipo de soldadura<\/strong><\/td>Soldadura de indio<\/td>Soldadura dura AuSn<\/td>Soldadura dura AuSn<\/td><\/tr>
      Disipador de calor<\/strong><\/td>Bloque de cobre<\/td>Macrocanal<\/td>Microcanal (MCC)<\/td><\/tr>
      Ancho espectral<\/strong><\/td>3 - 5 nm<\/td>2 - 3 nm<\/td>< 1 nm (con VBG)<\/td><\/tr>
      Vida \u00fatil t\u00edpica<\/strong><\/td>5.000 horas<\/td>15.000 horas<\/td>> 20.000 h<\/td><\/tr>
      Brillo (MW\/cm\u00b2-sr)<\/strong><\/td>Bajo<\/td>Medio<\/td>Alta<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

      PREGUNTAS FRECUENTES<\/h2>\n\n\n\n

      1. \u00bfC\u00f3mo influye el efecto \u201csonrisa\u201d en la eficacia del acoplamiento de fibras?<\/h3>\n\n\n\n

      El efecto \u201csonrisa\u201d es una inclinaci\u00f3n f\u00edsica de la diodo l\u00e1ser multiemisor<\/strong> barra. Si la barra no es perfectamente plana, los emisores dejan de estar en el plano focal del colimador de eje r\u00e1pido (FAC). Esto provoca que los haces individuales apunten en direcciones diferentes, lo que hace imposible enfocar la luz en una fibra \u00f3ptica peque\u00f1a. Las pilas de alta calidad utilizan soldadura AuSn para mantener la planitud por debajo de 0,5 micras.<\/p>\n\n\n\n

      2. \u00bfPor qu\u00e9 se prefiere la soldadura de AuSn a la de Indio para las pilas industriales?<\/h3>\n\n\n\n

      El indio es una soldadura blanda que puede \u201cdeslizarse\u201d bajo tensi\u00f3n t\u00e9rmica, lo que provoca una degradaci\u00f3n de la calidad del haz con el tiempo. El AuSn (oro-esta\u00f1o) es una soldadura dura que proporciona una uni\u00f3n r\u00edgida y estable. Aunque requiere una fabricaci\u00f3n m\u00e1s compleja y submontajes con CTE coincidente, evita la chip semiconductor l\u00e1ser<\/strong> de moverse, garantizando un rendimiento constante durante a\u00f1os de funcionamiento.<\/p>\n\n\n\n

      3. \u00bfQu\u00e9 papel desempe\u00f1a el \u201cespejo no absorbente\u201d (NAM) en la fiabilidad de los chips?<\/h3>\n\n\n\n

      El NAM es un tratamiento especializado en la faceta de la chip semiconductor l\u00e1ser<\/strong>. Evita la absorci\u00f3n de fotones en la superficie, que es la causa principal del Da\u00f1o \u00d3ptico Catastr\u00f3fico (COD). Sin la tecnolog\u00eda NAM, un chip no puede funcionar con seguridad a las altas densidades de corriente necesarias para diodo l\u00e1ser de alta luminosidad<\/strong> aplicaciones.<\/p>\n\n\n\n

      4. \u00bfPuede afectar la calidad del agua de refrigeraci\u00f3n a la vida \u00fatil de una pila de diodos l\u00e1ser?<\/h3>\n\n\n\n

      S\u00ed, especialmente para las pilas con refrigeraci\u00f3n por microcanales. Si el agua no se desioniza o filtra adecuadamente, los dep\u00f3sitos minerales o el crecimiento biol\u00f3gico pueden obstruir los canales microsc\u00f3picos. Esto provoca un aumento inmediato de la temperatura de uni\u00f3n de los chips, lo que acorta considerablemente su vida \u00fatil.<\/p>\n\n\n\n

      5. \u00bfC\u00f3mo puedo determinar si la longitud de onda de una pila es estable?<\/h3>\n\n\n\n

      Debe monitorizar el espectro de salida utilizando un analizador de espectro \u00f3ptico (OSA) mientras var\u00eda la corriente de accionamiento. Una pila estable mostrar\u00e1 muy poco cambio en la longitud de onda de pico a medida que aumenta la corriente, sobre todo si se trata de un VBG-bloqueado. diodo l\u00e1ser de alta luminosidad<\/strong>.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

      La transici\u00f3n industrial hacia los l\u00e1seres de diodo directo y los sistemas de bombeo de alta potencia ha puesto un foco de atenci\u00f3n sin precedentes en el componente fundamental de la fot\u00f3nica: el chip l\u00e1ser semiconductor. Aunque la potencia de salida total suele ser el par\u00e1metro principal en las adquisiciones, el verdadero valor de una pila de diodos l\u00e1ser se mide por su estabilidad espectral y su capacidad [...].<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"themepark_post_bcolor":"#f5f5f5","themepark_post_width":"1022px","themepark_post_img":"","themepark_post_img_po":"left","themepark_post_img_re":false,"themepark_post_img_cover":false,"themepark_post_img_fixed":false,"themepark_post_hide_title":false,"themepark_post_main_b":"","themepark_post_main_p":100,"themepark_paddingblock":false,"footnotes":"","_wpscp_schedule_draft_date":"","_wpscp_schedule_republish_date":"","_wpscppro_advance_schedule":false,"_wpscppro_advance_schedule_date":"","_wpscppro_dont_share_socialmedia":false,"_wpscppro_custom_social_share_image":0,"_facebook_share_type":"","_twitter_share_type":"","_linkedin_share_type":"","_pinterest_share_type":"","_linkedin_share_type_page":"","_instagram_share_type":"","_medium_share_type":"","_threads_share_type":"","_google_business_share_type":"","_selected_social_profile":[],"_wpsp_enable_custom_social_template":false,"_wpsp_social_scheduling":{"enabled":false,"datetime":null,"platforms":[],"status":"template_only","dateOption":"today","timeOption":"now","customDays":"","customHours":"","customDate":"","customTime":"","schedulingType":"absolute"},"_wpsp_active_default_template":true},"categories":[17],"tags":[871,869,868,862],"class_list":["post-4178","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-industry-trends","tag-high-brightness-laser-diode","tag-laser-diode-bar","tag-laser-diode-stack","tag-semiconductor-laser"],"metadata":{"_edit_lock":["1768459142:1"],"wpil_sync_report3":["1"],"wpil_links_inbound_internal_count":["0"],"wpil_links_inbound_internal_count_data":["eJxLtDKwqq4FAAZPAf4="],"wpil_links_outbound_internal_count":["6"],"wpil_links_outbound_internal_count_data":["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"],"wpil_links_outbound_external_count":["0"],"wpil_links_outbound_external_count_data":["eJxLtDKwqq4FAAZPAf4="],"wpil_sync_report2_time":["2026-01-15T06:38:59+00:00"],"_edit_last":["1"],"_aioseo_title":[null],"_aioseo_description":[null],"_aioseo_keywords":["a:0:{}"],"_aioseo_og_title":[""],"_aioseo_og_description":[""],"_aioseo_og_article_section":[""],"_aioseo_og_article_tags":["a:0:{}"],"_aioseo_twitter_title":[""],"_aioseo_twitter_description":[""],"ao_post_optimize":["a:6:{s:16:\"ao_post_optimize\";s:2:\"on\";s:19:\"ao_post_js_optimize\";s:2:\"on\";s:20:\"ao_post_css_optimize\";s:2:\"on\";s:12:\"ao_post_ccss\";s:2:\"on\";s:16:\"ao_post_lazyload\";s:2:\"on\";s:15:\"ao_post_preload\";s:0:\"\";}"],"catce":["sidebar-widgets4"],"_wpsp_is_facebook_share":["on"],"_wpsp_is_twitter_share":["on"],"_wpsp_is_linkedin_share":["on"],"_wpsp_is_pinterest_share":["on"],"_wpsp_custom_templates":["a:7:{s:8:\"facebook\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:7:\"twitter\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:8:\"linkedin\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:9:\"pinterest\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:9:\"instagram\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:6:\"medium\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}s:7:\"threads\";a:3:{s:8:\"template\";s:0:\"\";s:8:\"profiles\";a:0:{}s:9:\"is_global\";b:0;}}"],"views":["909"]},"aioseo_notices":[],"medium_url":false,"thumbnail_url":false,"full_url":false,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4178","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=4178"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4178\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4180,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4178\/revisions\/4180"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=4178"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=4178"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/laserdiode-ld.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=4178"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}